第七节绝对衰变速率的规定如前所述，绝对衰变速率的测定，除了在相对.docVIP

第七节　绝对衰变速率的规定 如前所述，绝对衰变速率的测定，除了在相对放射性测量中所碰到的那些问题外，还有一些特殊问题。尽管如此，仍常常需要知道绝对衰变速率。每当测定反应截面时，都必须知道所生成的产物核的数目。对于放射性产物来说，通过查衰变数值并测量衰变速率，便能很好地定成生成核的数目。若欲测定许多样品中的某一个核素的衰变速率（例如在激发函数的研究中），只要用一个其绝对衰变速率已知的该核素的样品先刻度所用的仪器，然后便可用相对测量法了。甚至在核谱学中也经常需要用绝对测量。一般说来，当欲测定两种衰变形式的分支比时，要涉及使用不同的仪器来测量两种不同类型的辐射，因此必须知道每个测量的绝对效率。要测量EC/β+比、绝对转换系数，往往甚至还要测量每次β衰变发射出几个γ量子。 α发射体 如果样品的厚薄和均匀都合适，那末，测定绝对α衰变速率是比较简单的。用一个正比计数管或者带有线性放大器的电离室便可用来记录进入其工作区的全部α粒子。如果将样品放入计数管或电离室内，则就可达到2π几何（立体角）。对α粒子在样品载片上的反散射须加以校正，但与β－粒子的情况不同，这项校正是很小的（对于铂为4%，Z值低时则更小）。用这个方法仔细测量α衰变速率能够达到±1%的准确度，这常常受限于样品制备。量热法能达到的准确度至少与上法相当。它需要较高的样品放射性活度，但是对于样品的几何条件，厚薄等却没有要求。该法确实需要知道α粒子的能量，这用磁谱仪或半导体探测器便可测得。另一种α绝对测量方法是使用半导体探测器，并用一个近似为点状的α源，在源与探测之间有一个尺寸已知孔。在下面将较完整叙述这种已知立体角的绝对测量方法。 一、4π计数 为了测定绝对衰变速率，利用4π几何有明显的优点，特别是当计数效率为100%时就更有利。在这些条件下，不管衰变纲图怎样，每一次衰变都引起一个计数（假定不存在寿命与测量装置的分辩时间相当或更大的中间能态），于是测得的计数率即等于衰变速率。 已经使用了许多4π计数装置，将以气体形式存在的β－放射性样品引入一个计数管（通常为正比计数管）内部，几乎可获得4π几何，用通过精心变换其灵敏体积与非灵敏体积之比值的不同的计数管进行实验，可估计出并减小计数管的端效应和壁效应。对于软β－发射体（如3H,14C,35S,63Ni）和低原子序数的电子俘获核素（如37Ar），气体计数最为适用。在后一情况下，甚至也可定量地计数很软的Auger电子。在一种类似的方法中可将样品溶解于其尺寸比辐射的射程要大的液体闪烁体中。β粒子和低能光子的计数效率可以达到100%。 图11—12 对于因体样品来说，进行4πβ计数则需要将非常薄的样品沉积在很薄的衬垫上。在普通的4πβ计数管中，这种样品安放在两个平行连接的同样的正比计数管之间。计数管可以是半球形的、半圆柱形的或扁平圆柱形的。用一根直的或环形的金属丝做阳极。图5－12示出了一种4πβ计数管，在两个圆环间有一简单的滑槽以供样品插入。如果在合适的导电薄膜上小心制源，那末在大多数β发射体的4π测定中能够达到±1%的准确度。最好对于每个样品或至少对于每个被测定的核素，测一电压坪段。已经仔细地研究了影响4π计数管性能的各种参数（P2）。因为很软的Auger电子可能被样品和衬垫所吸收，以及X射线可能穿过计数管而不产生任何离子对，所以，对于部分或全的以电子俘获进行衰变的那些核素，利用4πβ计数来测定其衰变速率是不合适的。 对X射线和γ的发射体来说，把样品夹在两个表面平整的NaI闪烁体之间，或者将样品放在一个阱型闪烁体中，并用另一个闪烁覆盖该阱，就能够接近达到4π几何；对于每个事件，来自两个光电倍增管的脉冲向度便叠加在一起。该该法用来测定高Z核素的电子俘获衰变速率。如果在这里用ωk表示K壳层荧光产额，于是在所有的K俘获跃迁中有ωk部分以KX射线发射，并且不管γ射线发射与否，总可以探测到这些KX射线，只要不包含发射X射线的缓发态。由于ωk值大，且相当可靠，因此，能够比较准确地得出K－EC速率，假若利用脉冲高度分析，那末还必须考虑加合效应－X射线加上符合的X射线或符合的γ射线（见下面符合实验的讨论）。 二、符合法 对于衰变纲图比较简单的核素，可以用符合测量来测定其绝对衰变速率。对每次β衰变后接着发射一个γ量子、并且能谱也简单的核素，易于理解这种方法的可行性，装置两个计数管，分别测β射线和γ射线的计数，其计数率为Rβ和Rγ，而其符合计数率则为Rβγ。那末，Rβ＝Rocβ,Rγ=Rocγ(此处系数cβ和cγ可认为由这些公式确定，同时，这些系数包括了立体角、计数效率和吸收校正的总效应)和Rβγ＝Rocβcγ，于是RβRγ/ Rβγ＝Ro。利用三个测得的计数率之比值，可简便地得到绝对衰变速率。必须用一个能阻止β射线进入β计数管的吸收片，在β计数管上单独做一次