第二节电力半导体器件.ppt

苏州市职业大学 苏州市职业大学  第 2 章电力半导体器件 2 电力半导体器件 2 电力半导体器件 2.1 概述 本章讲述电力电子变换电路常用的半导体电力开关器件的概念、分类、基本工作原理、外特性和使用参数。 2.1.1 电力电子器件的概念、分类 1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料硅）仍然 双极结型电力三极管（BJT） 可关断晶闸管（GTO） 电力场效应晶体管MOSFET 绝缘栅双极型晶体管IGBT MOS控制晶闸管MCT 集成门极换流晶闸管IGCT 静电感应晶体管SIT和静电感应晶闸管SITH 半导体电力开关模块和功率集成电路PIC 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制； 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 2.2 不可控器件—电力二极管(Power Diode) 自然界中的物质按其导电性能可分为三大类： 1. 导体 2. 绝缘体 3. 半导体(硅、锗、硒、金刚石、砷化稼、碳化硅等)指其导电能力明显依赖于内外状态的一类特殊物质。 (1)当半导体受到外界光和热的激发时，其导电能力发生显著的变化。 (2)在纯净的结构完整的半导体（被称为本征半导体）中加入微量的杂质后其导电能力会显著增强。 现已广泛应用的半导体材料大都是掺入了微量杂质的硅元素（或锗元素）材料研制得到的。 2.2.1 什么是PN结 将P型半导体与N型半导体通过物理化学方法有机的结合为一体后，就形成了PN结，PN结具有非线性电阻的特性，可以制成二极管作整流器件，PN结是构成多种半导体器件的基础 PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。 电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。 PN结高频等效电路 2.2.2 功率二级管 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。 半导体二极管基本特性 ——单向导电性 主要指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 半导体电力二极管的开关特性 在半导体电力二极管开关过程中，由导通状态转为阻断状态时并不是立即完成的，它要经历一个短时的过渡过程，此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管是有很大差异的，而且，对此过程的理解对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。 正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。 正向恢复时间tfr。 电流上升率越大，UFP越高 。 2.2.3 电力二极管的主要参数 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 1.2.3 电力二极管的主要参数 在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3） 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反