关于安培力的微观机制.PDFVIP

关于安培力的微观机制 四川师范大学 封小超 都能甩统一的解释得到与实验事实一致的结 摘 要 果． 在纠正了传统错误以后，若把安培力解释 为自由电子对霍尔电场的反作用力，仍然存在 一 些问题．本文分别讨论了霍尔系数为负值的 先讨论一般金属导体的情形，考虑磁场B 单价金属导体、霍尔系数为任意值的三种半导 中一段载流导体Id1． 体和霍尔系数为零的非单价金属导体中，安培 (1)载流导体相对于观察者静止时(图一)， 力的经典微观机制． X X B× X X 运动电荷所受的洛仑兹力是怎样转变成宏 观载流导体所受的安培力?近年来，有的文章 和教科书【 ， ，纠正了洛仑兹以来的一种传统 看法[3】。安培力是导体中定向运动的电子，受到 洛仑兹力后与晶格发生侧向碰撞，把动量传递 给晶格的结果．认为应当从霍尔电场的角度来 d 理解安培力．这无疑是一个进步，它避免了旧 图一．导体静止 的解释所包含的一系列内在矛盾．但修正后的 自由电子以平均速度t，t向右定向移动，受 解释认为安培力是自由电子对霍尔电场反作用 洛仑兹力， 一一e口-×B，电子以圆周运动的方 力的合力，通过电场作用在导体上的．这仍然 式作侧向漂移，下侧堆积负电荷，上侧堆积正电 存在三点不足：① 不仅自由电子要受到横向霍 荷，其间形成一横向霍尔电场 ，它阻碍电子 尔电场的作用，晶格中的正电荷也要受到霍尔 的侧向漂移运动 当电场力，日=一eE 与洛仑 电场的作用，也对该电场(进而对导体)有反作 兹力九平衡时， 用力，这两部分反作用力总是互相抵消的，对安 晶 =一 i× 培力并没有贡献．② 当载流导体平行于电流 电子在等大反向的霍尔电场力和洛仑兹力作用 方向运动时，自由电子对霍尔电场的反作用力 下，作无侧向漂移的定向移动．而晶格中的正 并不等于导体所受的安培力，上述解释将会遇 电荷只受霍尔电场力一 的作用，其宏观效果 到困难．③ 对于载流半导体和某些非单价金 就是载流导体所受的安培力 属，即使是相对于观察者静止的情况，上述解释 dF▲=一Ⅳ，日=一Neol x B=Idl×B 也会得到与事实不符合甚至相反的结论． 其中Ⅳ是 z段导体的正电荷数，等于相应的自 本文准备对修正后的解释作一些补充，并 由电子数，因此一Nel，l：Id1． 直接把安培力理解为晶格中正电荷所受各种力 (2)载流导体平行于电流方向运动时 (图 的合力．这样，既可避免上面三个缺点，又比较 二)． 简明，在经典范围内，使各种情形下的安培力， 自由电子相对于导体仍然以平均速度 t定 · 2 I · 向移动，同时导体相对于观察者以速度妒z向右 电子在两对等大反向的洛仑兹力和电场力的作 运动．这时，自由电子相对于观察者的速度是 用下，沿着导线定向运动． 口l+v2，受洛仑兹