基于AFORS―HET软件模拟分析p―CuSCNn―ZnO透明异质结J―V特性曲线.docVIP

基于AFORS―HET软件模拟分析p―CuSCNn―ZnO透明异质结J―V特性曲线 　　摘 要：利用AFORS-HET软件模拟得出p-CuSCN/n-ZnO异质结在不同光区的J-V特性曲线各不相同，无光照、普通日光、可见光区、红外光区的J-V特性曲线走势大体相同并都为负值。然后与n-CuSCN/p-CuSCN和n-ZnO/p-ZnO的J-V特性曲线相互比较，可知这种现象是p-CuSCN/n-ZnO异质结所独有的。紫外光区[1]的J-V特性曲线与其余光区大不相同，并且为正值。造成正负差异的原因是由于p-CuSCN/n-ZnO异质结中少数载流子的漂移运动[2-3]为主体运动。最终得出结论，利用p-CuSCN/n-ZnO透明异质结来制备紫外探测器在理论上是可行的。 　　关键词：硫氰酸亚铜；氧化锌；紫外光；AFORS-HET软件 　　1 引言 　　近年来，采用碳化硅（SiC）[4]、氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）[5]等为原材料来制备的紫外探测器的报道较多[6]。其中，碳化硅（SiC）[4]与氮化镓（GaN）[5]的研究起步较早，氧化锌（ZnO）则是当下最为热门的半导体材料之一。ZnO是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料[7]，且具备较大的激子束缚能（60meV）[8]、较大的禁带宽度（3.37eV）[9]、较高的透明性等特性，能够广泛应用于诸多电学与光学领域。 　　本文利用查阅文献