2010§7-存储器、复杂可编程器件.ppt

§7 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列半导体存储器 7.1 只读存储器 7.1 只读存储器 (2) ROM特点：ROM一般由专用的装置写入数据, 一旦写入不能随意改，在切 断电源后，数据也不会消失，即具有非易失性。 7.1 只读存储器 7.1.1 ROM的定义与基本结构 ② 地址译码器：将输入的地址代码译成字线输出信号，使 连接在这条字线上的存储单元与相应的读控制电路接通， 然后对这些单元进行读操作。 7.1.1 ROM的定义与基本结构 7.1.2 二维译码 7.1.4 集成电路  ROM 7.1.5 ROM的读操作与定时图 2. 静态SRAM存储单元结构及工作原理 7.2.3 动态随机存取存储器 7.2.3 动态随机存取存储器 三管动态RAM存储单元 7.2.4 RAM存储容量的扩展 位扩展例题 §7 例题分析： 【例1】 将IK × 4 ROM扩展为8 K × 8 ROM，需用 IK × 4 ROM（ ）。 【例1】试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数。 例题3解 例题4解 例题5解 【解题6】 试分析图题8.3.1的逻辑电路，写出输出逻辑函数表达式。 南通大学 Nantong University 返回 * 教学基本要求 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 教学内容 7.1.2 二维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 7.1.1 ROM的定义与基本结构 (1) 定义(ROM)：只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称 为只读存储器(Read-Only Memory). (3) ROM的分类： 二极管ROM； 三极管ROM；MOS管ROM 按写入 情况划分 可编程ROM 按存贮单元中器件划分： 固定ROM: 存储内容在制造时用掩模技术确定，出厂时已完全固定，使 用时无法更改，所以固定ROM也称为掩模编程ROM。 PROM： EPROM： E2PROM： 内容由用户根据需要写入，但只能写入一次，一经写入就不能再修改。 具有较大的使用灵活性，它的存储内容不仅可以按照用户的需要写入，而且还能擦去重写。 由快闪叠栅MOS管组成，可在线擦写1万次以上，但单元电路EPROM 复杂的多，所以集成度比EPROM低。 基本概念-1： 字数：字的总量。 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 基本概念-2： （4）存储器的核心：是存储体本身，它由若干个存储单元构成的存储矩阵。 （5）存储器的存储容量(M) ：常用：字数×字长（位数）来表示。 （例如 ： 4K × 4位， 64K × 8位等） 字长(位数):一个信息需要多少位的二进制数表示，字的位数称为字长。 （1）R0M的基本结构： 由存储矩阵、地址译码器、输入/输 出控制电路三部分组成。 存储矩阵：由许多存储单元排列而成，每个存储单元能 存储l位二进制数据（1或0），在译码器和读控制电路的控 制下，可将所存储的数据1或0读出。 ③ 读控制电路： 用于对电路的工作状态进行控制。 读信号为1时：执行读操作； 此外在读控制电路中另加有片选输入端，以利于存储器容量的扩展。 数据输出： 通常由三态门组成，实现输出（读出）功能。 ROM结构示意图 容量=字线×位线 M=4?4 R=16×16=256 7.1.3 可编程ROM（256X1位EPROM） 256个存储单元排成16?16的矩阵 行译码器从16行中选出要读的一行 列译码器再从选中的一行存储单元中,选出要读的一列的一个存储单元。 如选中的存储单元的MOS管的浮栅注入了电荷，该管截止，读得1；相反读得0 编程选通信号 编程写入电压 Atmel:128K×8 读出过程操作如下： ① 欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端。 ② 加入有效的片选信号 ③ 使输出使能信号OE有效，经过一定延时后，有效数据出现在