半导体制程(4版)MiCroChip-FaBriCation第5章--污染控制.ppt

US FED STD 209E Cleanroom Standards Class maximum particles/ft3 ISO equivalent 0.1 μm 0.2 μm 0.3 μm 0.5 μm 5 μm 1 35 7 3 1 10 350 75 30 10 100 750 300 100 1,000 1,000 7 10,000 10,000 70 100,000 100,000 700 * 半導體製程(4版)Microchip Fabrication第5章 :污染控制 Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局 中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 （1）污染對於元件製程、效能、可靠度的影響 （2）污染的來源及形式 （3）無塵室的規劃、主要的污染控制步驟 （4）晶圓表面的清洗技術 引言 污染：晶圓製造失敗的重要原因之一 無塵室(clean room)：源於太空工業 無塵室技術須和晶片設計、線路密度一起進步 污染物主要可分為四類： （1）顆粒 （2）金屬離子 （3）化學物 （4）細菌 （1）顆粒　 微米(micron：?m = 10-6 m )：人的頭髮直徑約為100 ?m 經驗法則：顆粒尺寸小於最小特徵尺寸的十分之一 殺手缺陷/致命缺陷(killer defects)： 落於元件重要部位，使元件功能損壞的顆粒 。 圖5.1 　一微米的相對大小 圖5.2 　污染物的相對大小 圖5.3 空浮顆粒和晶圓的相對尺寸 （2）金屬離子 電性活潑的微量污染物，可改變元件的電性特性、效能、可靠度 ? 可移動離子污染物(mobile ionic contaminants, MICs) -以離子型態出現，存在於材料中，運動力很強的金屬原子 -造成MOS元件中最嚴重失敗的原因，常出現在化學品中 -MIC的污染必須少於1010原子/平方公分，鈉(sodium)最常見 ? 每十億個不純原子中的微量金屬成分 鈉 50 鉀 50 鐵 50 銅 60 鎳 60 鋁 60 鎂 60 鉛 60 鋅 60 氯化物 1000 圖5.4 　光阻去除劑中所含的微量金屬原子量 （3）化學物　 -製程所需的化學品和水中含有少量的化學污染物 -造成表面腐蝕、無法被移除的化合物、不均勻的製程 -氯(chlorine)為製程用化學品中嚴格控制的污染 （4）細菌 -作用如同顆粒，可造成元件表面的金屬離子污染 污染造成的問題 （1）元件的製程良率 -改變元件部分尺寸 -改變表面的潔淨度 -引起含有坑坑洞洞的沈積層(或成長層) ?（2）元件效能 常在製程後段，晶圓揀選（電性測試）時才發現問題 ?（3）元件可靠度 可靠度失敗是最不容易察覺的問題 污染來源 無塵室 (clean room潔淨室) 污染定義：任何會影響所製造的產品及其效能的物體 主要污染來源 （1）空氣 （2）製造設備 （3）無塵室中的工作人員 （4）製程用水 （5）製程用化學品 （6）製程用氣體 （7）靜電 （1）空氣 微粒子(particulates)/氣膠(aerosols)：漂浮於空氣中的顆粒 無塵室空氣的清潔度分級方法 以微粒子的直徑及密度(單位體積內的數目)決定 空氣品質的級數 (class number) （美國聯邦標準第209E條規定） 在每立方英尺的空氣中所含直徑等於(及大於)0.5?m的粒子數量 圖5.5 空氣中飄浮顆粒的相對 尺寸(單位為微米?m) 清淨空氣的方式 四種不同的無塵室設計策略 1.無塵工作站 2.隧道式隔間設計 3.全廠無塵法 4.微小環境無塵法 1.無塵工作站 無塵工作站策略 -將工作站加以空氣濾淨器，並使用不會剝離的材料 -工作站外的晶圓被儲存在一個有蓋的盒中以利搬移 ? 護罩(hoods)工作站：使用高效能微粒子過濾器 (high-efficiency particulate attenuation, HEPA) 圖5.8 高效能微粒子過濾器的空氣濾網 垂直式層流(ver