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基于共振隧穿二极管太赫兹通信技术进展 　　【摘要】 太赫兹频段具有很多独特的优点，在大容量无线通信领域具有很大的应用前景。共振遂穿二极管既可以作为太赫兹振荡器又可以作为检测器件和调制器，具有室温应用、小型化、可以实现单片集成的优点。本文介绍了近年来国内外在共振隧穿二极管及其通信系统方面的研究进展，指出太赫兹共振隧穿二极管的部分关键技术，为太赫兹通信系统的应用发展提供参考。 　　【关键词】 太赫兹 共振隧穿二极管 无线通信 　　一、引言 　　太赫兹（Terahertz，THz）频率是对一个特定波段的电磁频率的统称， 它的振荡频率定义在0.3 THz～3 THz，它在电磁波谱中位于微波和红外辐射之间。太赫兹频带是微波毫米波器件频率向上的延伸，进入光波前的最后频率区间 [1]。与微波通信相比，太赫兹波束较窄，方向性好，可实现外差接收，作定点保密通信；太赫兹波频率比微波高出几个数量级，可以拥有100Gb/s的大无线传输带宽，适合用于构成宽频带、大容量的无线通信系统，国际电联已决定将0.12THz和0.2THz划归无线通信使用 [3]。 　　共振隧穿二极管（RTD）是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件 [4]。RTD器件既可以作为信号发生器也可以作为接收器，具有发射和接收两种功能，同时也可以进行直接调制，因此可以在一个单片电路上实现信号的收发。制备0.3-3THz的RTD高灵敏度太赫兹收发MMIC是国外近期主要的研究目标。基于共振隧穿二极管的太赫兹通信系统已成为下一代高速通信的发展方向之一。 　　本文将介绍近年来国内外在基于共振隧穿二极管，开展太赫兹通信系统的研究进展，为更好的开展太赫兹通信的研究提供参考，包括日本、德国及国内共振遂穿二极管器件的研究进展和日本NTT公司RTD通信实验方面的进展。 　　二、原理 　　共振遂穿二极管的基本工作原理是，当采用两种不同材料形成异质结时，形成量子阱。当量子阱的尺寸与德布罗意电子波长具有相同量级时，导致阱区域能量量子化。当在RTD两端加上电压，使入射电子能量与量子阱中能级一致时，就会产生共振隧穿， 随外加电压不断增加，电流先达到一个局部最大值， 即峰值电流（Ip）。电压进一步增大，共振隧穿的条件破坏，穿过势垒层的电子数目大大减小，电流下降表现为负阻（NR） 效应，直到谷值电压（Vv） 电流达到谷值电流（Iv）。随着电压进一步增加，通过势垒发射电流成为主要电流，电流随电压增大而增加。当器件工作于如图1所示负阻区（NDR）时，RTD可以用作振荡器；当器件工作在负阻区外的强非线性区时，RTD就可以用作检测器 [5]。 　　当器件工作在图1非线性区时，入射的太赫兹波在光吸收层产生大量的电子和空穴，在电场的作用下向相反的方向运动。其中，电子向右运动到达加正电压的收集极，空穴在价带中向左运动聚集在AlAs/InGaAs界面的空穴三角势阱中形成正的空间电荷，依照电中性条件，将在发射极导带 InGaAs界面感生出等量的电子负电荷。导带中电子的堆积和价带中空穴的聚集相当于对双势垒单势阱结构上加一正向电压，或者说RTD的启动电压和峰值电压比无光照时都减少了一个△V，即光照使I-V特性沿横坐标向左移动了△V。光照越强，感生的电子空穴堆积得越多，△V也越大。通过测量△V的变化可与太赫兹波的光强形成对应关系，从而起到探测太赫兹波强度变化的作用。 　　三、基于共振隧穿二极管的太赫兹检测器件研究进展 　　1958 年，日本科学家江崎（Leo Esaki）成功研制了第一个负阻固态器件――隧道二极管[4]，1990年前后，对RTD作为微波检测器的研究得到了较快的发展，以美国的一个研究小组等人为代表，开展了共振隧穿二极管用于毫米波探测的特性研究。实验发现Ka波段的响应度达到了1750V/W，高于当时传统肖特基二极管的响应度，但是动态范围还有一定差距 [6]。1994年，美国UCSB的科学家用InGaAs/AIAs材料的RTD，测量出在太赫兹频段的超宽带响应，带宽从0.12-3.9THz [7]。1997年以后，随着大规模集成电路的蓬勃发展，基于InP和GaAs工艺的RTD器件和电路研究进入一个相对缓慢的发展阶段。 　　2005年以后，随着THz技术的发展，共振隧穿器件迎来了第二个发展高峰。以其体积小、室温工作、易于与其它芯片上集成等独特优势，重新受到国际上的高度重视 [8]。2005年，美国雷神（Raytheon）公司采用一端肖特基接触的方法，实现了零偏压下的响应，室温下，200-400GHz测得的等效噪声功率（NEP）为3-8pW/Hz1/2 [9]。 　　四、基于共振隧穿二极管的太赫兹振荡源研究进展 　　目前，国际上主要研究RTD的单位包括：日本Tokyo Institute of Technol