基于有机发光二极管微型显示器基板电路设计.docVIP

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基于有机发光二极管微型显示器基板电路设计

基于有机发光二极管微型显示器基板电路设计   摘 要:文章介绍了一款分辨率为160×120的有机发光二极管微型显示系统,本设计采用电流驱动方案实现微型显示系统需要的微量级电流需求,同时采用电流型数模转换器实现16级灰度显示。采用中芯国际的CMOS 0.35μm工艺实现了结构紧凑、制造成本低廉的一款实用型微型显示器。   关键词: OLED;微型显示;CMOS;电流驱动方式;电流型DAC   中图分类号:TN312+.8 文献标识码:B      Silicon Backplane Design for OLED Microdisplay   WANG Ying   (BOE Technology Research Institute, Beijing 100176, China; School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798)      Abstract: In this paper, a 160×120 microdisplay based on organic light emitting diode (OLED) is implemented and analysed. Current driving scheme is employed due to the requirement of extremely small driving current in the microdisplay application. 16 levels gray scale is realized with a current mode digital to analog converter (DAC). The OLED microdisplay can provide compact structure and extremely low power display solutions.   Keywords: OLED; microdispay; CMOS; current driving scheme; current mode DAC      引 言       自从1987年被发现以来,有机发光二极管(OLED)因为具有视角宽、读写速度快、对比度高、色彩饱和度高、工作温度阈值大等特点,被誉为下一代平板显示的首选技术。在CMOS单晶硅集成电路芯片上直接制作OLED器件,不但可以满足高品质的显示效果,同时由于CMOS工艺的成本低廉,从而大大降低了整个微型显示系统的制作成本。与反射式硅上液晶微型显示技术(LCoS)相比,OLED是自发光器件,在实现微型显示系统的时候,不再需要外部的光源,系统的功耗会大大下降。而OLED发光器件具有全固态器件结构,也更容易采用沉积的方式在单晶硅芯片上成膜。    本设计中的OLED微型显示器结构如图1所示。由于单晶硅芯片不透光,本设计采用了顶发射结构。作为阳极的ITO薄膜将被直接制作在CMOS工艺中的顶层金属之上,为整个OLED器件供电。在ITO薄膜之上,依次沉积OLED器件的空穴运输层和电子运输层。最上层是透明的高功率导电金属层作为阴极。   1 OLED微型显示系统的结构       OLED微型显示系统电路的功能框图如图2所示。串行输入的显示数据通过移位寄存器之后被重新排列,进而暂存在数据锁存器中。电流型的数模转换器将接收数据锁存器输入的数据,并将其转化为相应的模拟电流来驱动像素电路。在每个像素点,模拟驱动电流通过数据线写入之后,经过进一步的处理,流入OLED器件,发生相应的电光反应,从而点亮该像素点。同时行扫描电路产生行扫描信号逐行选中像素阵列中要求被点亮的显示行。为了实现灰度显示,数模转换器(DAC)需要参考电压源或者参考电流源为其提供精确的电压或者电流基准信号。    OLED微型显示电路是数模混合电路,数字部分主要包括了移位寄存器、数据锁存器和行扫描电路,而模拟部分主要由像素矩阵组成。集成在列控制中的电路的DAC单元模块用来连接数字部分和模拟部分。      2 像素电路的设计       常见的OLED驱动方式分别是电压驱动方式和电流驱动方式。OLED器件的电学特性与二极管非常相似,其亮度和驱动电流的大小成线性关系,因此电流驱动方式是驱动OLED器件的最佳选择。    我们的设计目标是满足亮度为300~3,000cd/m2的OLED微型显示。试验中使用的OLED器件的发光电流效率约为3cd/A,计算可得设计电流密度阈值为10~100μA/cm2。设计中的像素面积是50μm×50μm

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