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基于深亚微米MOS器件沟道热噪声浅析 　　摘要：随着MOS器件工艺尺寸的不断减小，其不断增高的单位增益截止频率足以满足射频/模拟电路的工作要求。然而，随着沟道长度的变短，沟道噪声对电路的贡献增大，噪声是电路关注的主要性能之一。由于二级效应，经典的长沟道噪声模型不再精确。本文总结了沟道热噪声产生的机理，以及短沟道载流子有效迁移率的计算。系统详细地描述了近年来基于深亚微米短沟道MOS器件的热噪声的模型。在文章的最后，介绍了沟道噪声的仿真和测试方法。 　　关键词：深亚微米；热噪声；短沟道；载流子 　　 　　1引言 　　 　　MOS工艺以其成本低、集成度高、流片风险小、成品率高成为当前VLSI电路的主流工艺，而且随着MOS器件特征尺寸（也就是最短沟道）不断减小，其特征频率fT可以高达几十甚至几百GHz，足以满足射频/模拟电路的工作要求。因而倍受射频/模拟电路设计者的青睐。 　　但是，MOS器件是基于表面工艺的，从电流的趋肤效应来看，相对于双极（Bipolar）工艺，它的噪声较大。MOS器件在不同的频段展现不同性质的噪声，且随着最短沟道长度的不断缩小，短沟道效应的影响日趋明显，如沟道速度饱和效应、热载流子效应等，从而，经典的MOS器件的沟道电流热噪声(drain current thermal noise)模型不再适用。另外，MOS器件还涉及到闪烁噪声（也称1/f噪声）和感应栅电流热噪声(induced gate current thermal noise)，其中，MOS管的1/f噪声在10MHz以下的工作频段起主导作用，而感应栅电流热噪声在1GHz以上的工作频段起主导作用。在我们所关心的10MHz~1GHz的频段上两种噪声可以忽略，认为此时仅有沟道电流热噪声存在。L=0.25μm，W=1000μm 的NMOS器件的噪声与频率的关系[1]如图1所示。 　　 　　2 长沟道热噪声模型 　　 　　首先，有必要先了解一下MOS管沟道热噪声产生的机理。如图2所示，系共源偏置的NMOS管剖面示意图[2]。它揭示了热噪声产生的机理是：当载流子（NMOS管的载流子是电子）沿沟道传输时，电子与热振动的晶格发生碰撞，在沟道x0的位置产生一个小小的电压波动Δvx0。又因为实际的MOS器件由于沟道长度调制效应，输出阻抗不可能无穷大，从而在漏端可以探测到一个小小的电流波动，这就是所谓的“沟道电流热噪声”。 　　 　　4 热噪声的仿真与测试 　　 　　MOS管的沟道热噪声电流可以通过EDA软件进行仿真，目前，我们用得较多的是SPICE、SpectreRF中具有的Noise Analysis。他们的功能相对很强大，不仅可以扫描频率和其他设计参数，而且可以总结沟道热噪声在总的噪声贡献中所占的比例。SPICE的短沟道噪声模型已经通过了验证[4]，Level2的仿真结果与测试结果有着很好的吻合，确保了仿真的可信度。 　　模型的准确性最终要通过测试来进行验证，图6所示为50Ω匹配时的测试平台[1]。 　　该噪声测试的实验平台，除了可以测试出MOS管本身的噪声贡献外，还可以读出其他的寄生分量所产生的噪声，这些是我们模拟/高频电路设计者所感兴趣的地方。 　　 　　5 总结与展望 　　 　　随着MOS管特征尺寸的减小，MOS管各部分的噪声贡献增加，特别是我们所关心频段的沟道热噪声。由于短沟道的二级效应，经典的长沟道热噪声电流的表达式已经不再适用，本文详细介绍了CHIN-HUNG CHEN先生提出的短沟道热噪声模型。对于工程设计者而言，噪声的仿真和测试也是非常重要的，文章的最后给出了噪声仿真和测试的方法。 　　目前，基于深亚微米MOS场效应管沟道噪声的建模已经相当成功了，理论的拟合和测试达到了一个很好的吻合[1][2][3][5][7][11]。但是，我们考虑了如此复杂的二级效应，增加了模型的精确性，同时也带来了繁重的计算量。当然，我们可以借助于一些数学软件，如MATLAB等等。对一个工程师而言，笔头的估算仍是设计的重要方法，如此复杂的建模并不利于工程上的估算。也许，我们今后的研究方向趋向于一个模糊数学的建模，这比起精确建模要困难得多。 　　 　　参考资料 　　[1] “Accurate Thermal Noise Model for Deep-Submicron CMOS”, A.J.Scholten, H.J.Tromp, L.F.Tiemeijer, R.van Langevelde, R.J.Havens, P.W.H.de Vreede, R.F.M.Rose, P.H.Wowerlee, and D.B.M.Klaassen; 　　[2] “Noise Characterization and Modeling o