高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容数值计算方法(1).pdfVIP

高电压技术第36卷第12期2010年12月31日 2970 HighVoltage 31，2010 Engineering，V01．36。No．12．December 高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法 刘士利，王泽忠，孙静 (华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室，北京102206) 摘要：目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一，是建立换流系统的宽频等效电路模型，分析阀 塔过电压瞬态过程，而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数．直接影响模型的正确性。为此，提出了一种基 于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数。在这种方法中，只需对导体表面进行剖分，无需离 散整个场域。在求得导体表面法向电场强度后。即可得到导体系统的电容矩阵。针对国内某士500kV直流换流站， 应用该方法提取r屏蔽罩寄生电容．通过对比计算．研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响．确定了计算实际屏 蔽罩寄生电容的仿真模型。为换流阀塔等大尺寸复杂金属