多输出CMOS带隙基准源设计.docVIP

多输出CMOS带隙基准源设计 　　摘要：带隙基准电压源是模拟电路中的一个重要单元。本文是基于无线局域网802.1la标准的无线收发机项目，采用SMIC 0.18um RF CMOS工艺设计的一个多输出的带隙参考电压源，用于系统中需要精确参考电压的部分电路。总电路包括启动电路，误差放大器，带隙产生基本电路，多输出电路。芯片后仿真得到温度系数在-15℃到85℃范围内为13ppm/℃，经过流片测试后得到10MHz频率时最差PSRR大于20dB，可满足后续电路实际使用。 　　关键词：CMOS；启动电路；误差放大器；带隙基准；多输出 　　 　　1 引言 　　 　　在无线局域网系统各部分电路的设计上，除了要求电路结构本身具有良好的温度和工艺稳定性外，还要求偏置网络也具有上述稳定性。由于这样一个含有较多电路的系统需要精确偏置也相对较多，而且很多偏置都不一样，因此设计了一款有多个输出的带隙基准电路，可以为系统中多个电路同时提供精确偏置电压。总电路由启动电路，误差放大器，带隙产生基本电路，多输出电路五部分组成。其中，启动电路的快速建立是电路能在正确工作点工作的前提，误差放大器的设计好坏直接决定着电路的PSRR和其他性能。因此本文就多输出电路部分、误差放大器和启动电路给予详细的分析。 　　 　　2　基本的带隙基准源电路 　　 　　对双极型晶体管来说，它的基极一发射极电压具有负温度特性，在室温300K时：аVBE/аT≈-2mV/K。为了抵消BE结电压的负温度特性，产生与温度无关的基准，需要一个具有正温度特性的电压。研究表明，两个工作在不同电流密度下的双极型晶体管的基极一发射极电压的差值与温度成正比。产生该差值的一个典型的带隙基本电路如图2.1所示，图中Q1，Q2是两个NPN管，流入它们发射极的电流大小都为1。，其中Q2为n个Q1并联，记作Q2=nQ1，则三极管的结面积SQ2=nSQ1，而由于三极管的反向饱和电流Is与结面积成正比，故Is2等效于n倍Isl。 　　双极型晶体管的集电极电流与BE结电压VBE呈现指数关系，通常可以表示为：Ic=Is exp(VBE/VT)，其中VT为热电压，具有正温度特性。所以BE结电压可表示为： 　　VBE＝VT1n(Ic/Is) 　　(2.1) 　　在图2.1中，假定节点X,Y电压相等即vx＝vY， 　　则有：R1I0＝VT1n(I0/Isl)－VT1n(I0/Is2)(忽略基极电流) 　　即：R1I0＝△VBEVT1nn 　　(2.2) 　　则可知输出电压为： 　　Vref＝VY＝VBE2＋R1I0＝VBE2＋VT1nn 　　(2.3) 　　式2.3表明输出电压由具有正温度特性电压VT1n n和具有负温度电压特性的VBE两部分组成，只要选择合适的n就能得到近似与温度无关的参考电压。 　　 　　3 电流模式基准源总体电路的实现 　　 　　依据带隙基准源的基本电路，下面逐步给出本基准源的设计思路和拓扑结构。现在采用一个高增益的误差放大器在两个电流源下方将两路工作点钳制住，使得VX≈Vy。而由于X，Y两节点电压近似相等，这样也减少了因为电流源晶体管的器件失配和沟道长度调制效应而产生的误差，如图3.1。另外，图3.1较图2.1增加了R2，R3两个完全相同的电阻，使得输出电压可以有一定程度的抬高，而这两个电阻值的选择也应给予一定的考虑，因为他们的大小会影响放大器左右两个环路的反馈系数，如果所取的阻值不合理就有可能正反馈强于负反馈而造成振荡，这里不作过多论述。图中运算放大器以VX，Vy为输入，同样Q2＝nQ1。PMOS管Mp1和Mp2尺寸相同，保证了流入两边PNP管的电流具有相同的温度特性。 　　由于 vx≈Vy，则Rt上的压降为VEB1－VEB2＝VT1nn。从而流过两侧支路的电流为VT1nn/R1，因此输出电压为： 　　Vref＝VEB2＋VT1nn(R1＋R2/R1) 　　＝VEB2＋(1＋R2/R1)VT1nn 　　 (3.1) 　　由上式可知，适当选择n和R2/R1的值就可以得到近似与温度无关的参考电压。 　　图3.1只能得到一个恒定的输出电压，为了得到多个不同的电压值，需要采用电流模式的带隙参考源[3][4]，即得到与正负温度系数都有关的输出电流。如图3.2，Q2＝nQ1，所有PMOS管的宽长比都相同，从而其漏极电流都相等。由图2.1的分析可知电阻R1上产生的是正温度系数的电流，而为了使具有正负温度系数的电流都出现在最终的输出中，这里增加电阻R5＝R6，误差放大器使得VX＝VY＝VEB1，所以流过R6的电流为：IR6＝VEB1/R6 (3.2) 　　由两边PMOS管漏极电流一致，那么流过两边 PNP管支路的电流也就相等。R1两端电压为两个BE结