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壳层厚度对于量子点聚合物复合电子存储器件性能影响 　　摘 要： 研究了一种含有不同壳层结构量子点的聚乙烯咔唑（PVK）/CdSe量子点复合体系电双稳器件，结果发现基于无壳层量子点的器件电荷存储能力较差，随着壳层厚度的增加，器件的电学特性由双稳态向三稳态转变。通过电容?电压（C?V）的测试结果表明，壳层的厚度对于量子点的电荷捕获能力有重要的影响，从而导致器件表现出不同的存储特性。 　　关键词： 有机/无机复合器件； 电双稳态； PVK； 量子点 　　中图分类号： TN710?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2016）02?0107?03 　　Influence of shell thickness on properties of quantum dot/polymer hybrid electronic storage device 　　SUN Xiuying， CHEN Wei， XIE Jianxing， LI Fushan 　　（College of Physics and Information Engineering， Fuzhou University， Fuzhou 350002， China） 　　Abstract： A hybrid electronic bistable device based on PVK/CdSe quantum dot which contains various shell structure is reported. It is found that the charge storage capacity of the device based on the non?shell quantum dot is poor， and the electrical properties of the device is converted from bistable state to tristable state with the increasing of shell thickness. The test results of capacitance?voltage （C?V） show that the shell thickness has significant influence on the charge capture capability of the quantum dot， which causes that the device possesses different storage characteristics. 　　Keywords： organic/inorganic hybrid device； electric bistable state； PVK； quantum dot. 　　有机/无机复合电子功能器件已经引起了人们的强烈关注，由于其低电压驱动、响应速度快，制备工艺简单等优点[1?5]，具有非常实用的研究价值以及实用价值。2002年Yang课题组报道了真正具有良好的可多次重复“写?读?擦?读”性能和稳定性的有机/无机复合电双稳器件[6]，该结构的提出从器件结构上开辟了研制有机电双稳器件的新方向，并且让有机材料完全替代传统半导体材料制作开关或存储器件有望成为现实。此后，有关有机/无机复合电双稳态器件的电学特性以及存储性能的研究获得了大量关注[7?10]。在前期研究工作中，发现采用核壳型量子点材料与导电聚合物复合，可以实现较好的电存储特性[11]。但是对于量子点壳层结构在器件中的作用，目前还一直不清楚，本文拟采用具有不同壳层结构的量子点材料，研究壳层厚度对于量子点/聚合物复合电子存储器件性能的影响。 　　1 器件的制作及测试 　　实验所用的有机基体材料为导电聚合物聚乙烯咔唑（PVK），无机材料为CdSe油溶性量子点，其中壳层的壳层结构分别为无壳层结构、3层ZnS原子壳层、5层ZnS原子壳层。器件采用的结构为夹层结构，即有机功能薄膜夹在氧化铟锡（ITO）平面电极及直径为0.5 mm圆状金属电极之间，为ITO/PVK：CdSe/Ag，如图1所示。 　　实验采用洁净的ITO玻璃基片为基板，以旋涂的方法制备PVK/CdSe量子点复合薄膜。最后以蒸镀的形式制备金属电极。实验以甲苯为溶剂，配制4瓶6 mg/mL的PVK有机溶液，分别标记为1，2，3。之后依次向3瓶有机溶液中加入与无壳层包裹的CdSe油溶性量子点、3层壳层包裹的CdSe油溶性量子点，5层壳层包裹的CdSe油溶性量子点，其中壳层均为ZnS，加入的量子点与PVK的质量比均为6%。采用旋涂方法，在ITO基片上旋涂PVK/CdSe量子点复合薄膜。最后，利