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太赫兹技术在通信方面研究进展

太赫兹技术在通信方面研究进展   摘 要:近年来,超激光技术得到前所未有的发展,对人们生活方式、生产水平的提高提供了技术支持,同时也让人们对THz波段研究提出了新看法。太赫兹技术作为近年来信息领域形成的控制新技术,其在各领域得到高度重视。本文从太赫兹技术的概念和优势入手,阐述了其在通信方面的研究。   关键词:超快激光;太赫兹通信技术;远程红外技术;通信技术   近年来太赫兹技术得到高度重视的重视,其应用和研究逐渐深入,已成为安全检测、医疗诊断、生物技术和物体成像技术中最受重视的内容,也被广泛的应用在多个信息领域,并且得到业界人士的关注。经过研究分析得出,这一技术与传统的红外线技术相比存在着突出的优势,其作用和功能更加全面,而且效果良好。   1、太赫兹通信技术概述   太赫兹通信技术是一个急剧发展前景的现代化通信技术,它在应用中存在着非常明显且没有分配的频带,并且有着传输效率高、方向性好、安全可靠的优势。近年来,发展太赫兹技术已成为世界多个国家研究的重点信息工程,是未来信息事业发展的主导方向之一。   1.1、太赫兹通信技术概念   太赫兹技术主要指的是是电磁波频率技术,是以频率为单位的现代化新技术,它的电磁波频率通常是以兆为单位进行计算的。这种技术最早出现于上个世纪八十年代,但是知道近期才被科学家命名为太赫兹通信技术。所谓的太赫兹通信技术主要指的是以太赫兹波作为主要的通信载体而进行的空间通信传输体系,因为太赫兹波是一个介于微波和红外线之间的内容,因此其在研究中也处于中间学科或者过渡学科,本身存在着极为明显的优势。   1.2、太赫兹技术的优点   自从上个世纪九十年代至今,人们一直高度重视太赫兹通信技术的研究,也取得了突出的成绩。但是在此之前,由于人们对太赫兹没有有针对、科学的研究目标和内容,使得整个研究工作受到限制,没有对太赫兹给予深入、科学的认识。但是在近年来,超快激光几束的发展已经为太赫兹通信技术的应用提供了安全、稳定、扎实的基础平台,为整个通信事业发展发挥了蓬勃的作用。太赫兹具有着瞬时性、宽带性、相干性、低能性和穿透性。在整个工作中,瞬时性主要指的是太赫兹技术具备着典型的皮秒量级特征,它不仅能在时间上达成分辨式研究,而且能通过取样采量技术、抑制技术来提高信号的抗干扰能力。其次,宽带性主要指的是太赫兹通信技术在应用中宽带效果十分的明显,单个的频带宽度可以高达数十、上百兆的宽带范围;相干性是相对与电流驱动来分析的,它是和相干电流驱动一体进行工作的,由此避免了传统非线性光学频段变化问题;低能性,这种技术在应用中光子能量仅仅占据原来的十分之一不到,适合大物质生物和活性物质结构的研究。穿透性,这种技术相对于其他的技术来说穿透性能良好,不受墙体、混凝土、山地等地形、地貌的限制,这在国家环境控制和安全方面发挥着重要的意义。   2 太赫兹通信相关技术的进展   2.1 太赫兹辐射源技术的发展   当前,太赫兹辐射源主要包括以下几种类型:   2.1.1 半导体太赫兹辐射源   经过研究分析得出,这些技术在利用的构成中大多都是由半导体太赫兹辐射能源构成的,这种技术在应用中本身存在着体积小、速度快、可调谐以及使用方便的优势,其在应用的过程中太赫兹量子技术是当前研究中重点内容之一,它是以异形结构半导体为主,以跃迁为基础,以纵向光学声子为原理的研究模式,它的应用为整个现代化通信事业的发展打下坚实的理论基础,也为工作目的的研究做出了重大贡献。   2.1.2 基于光学和光子学的太赫兹辐射源   在目前的研究工作中,以光学、光学子为基础的太赫兹工作受到重视,在目前已成为整个通信事业研究的焦点。目前这些工作技术包含了利用超短波激光脉冲技术所产生的辐射,以利用非线性为标准的参量过程所产生的太赫兹波技术。其在应用的过程中,具体包含了 (a)利用瞬时光电导产生太赫兹脉冲,它是在光电导半导体材料(如GaAs)的表面淀积金属, 制成偶极天线电极结构, 利用飞秒激光照射电极之间的光电导半导体材料, 就会在其表面瞬时地产生大量自由的电子-空穴对, 这些光生载流子在外加电场半导体材料(如GaAs)的表面淀积金属,制成偶极天线电极结构,利用飞秒激光照射电极之间的光电导半导体材料。   2.2 太赫兹检测技术的发展   2.2.1 传统探测技术   近年来,受到信息技术发展迅速的影响,原来的探测技术越来越无法满足当今日新月异的市场发展要求。同时由于THz源的低发射功率及相对较高的热背景耦合,因而检测THz波需要高灵敏度的检测手段.传统的探测技术主要包括超导(SIS)混频技术以及利用声子、电子散射冷却机制发展起来的热电子测热电阻(HEB)混频器.其中,SIS混频技术是以光子辅助隧穿机制为理论基础,探测频率范围约为0.1~1.

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