7化学气相淀积幻灯片.pptVIP

* Poly-Si掺杂 扩散掺杂----温度900~1000℃ N型掺杂剂：POCl5, PH3等含磷气体 优势：1.在多晶硅膜中掺入杂质浓度很高，可以超过固溶度----可得较低电阻率；2.一步完成掺杂和退火两个工艺； 缺点：工艺温度高，薄膜表面粗糙度增加 离子注入----优点：杂质数量精确可控，也可适用低掺杂薄膜制备。 电阻率为扩散掺杂法制备薄膜10倍 合适的注入能量可使杂质浓度峰值处于薄膜中间；用快速热退火(RTP) 在1150℃下不到30秒完成杂质再分布和激活。 原位掺杂----一步完成薄膜淀积和掺杂工艺；方法简单，未广泛应用 * 实际 CVD 氮化硅 二氧化硅 * 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 难溶金属钨（W），钼（Mo），钽（Ta），钛（Ti）在IC中被用作互连系统，一般用CVD方法淀积。 W的主要用途 1.作填充----W插塞plug 2.作局部互联材料----W的电导率低，只用作短程互连线 W的优势 体电阻率较小7-12μ?.cm；较高的热稳定性；较低的应力；良好的抗电迁移能力和抗腐蚀性。 * CVD W 工艺 源----WF6； WCl6； W(CO)6 WF6与硅，H2，硅烷还原反应生成W----300℃ 10-15nm自停止。 2WF6 (g)+3Si(s)?2W(s)