S波段射频LDMOS晶体管的设计与实验研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 I I 摘 要 现代移动通信的飞速发展，对信息传输的高质，高量推动了射频 LDMOS 向 更高的频率和更宽的带宽应用，同时也给设计技术带来了严峻的挑战。由于国内 射频 LDMOS 研发能力与国外存在不小差距，开展 LDMOS 的研究和设计对国防 和国民经济有重要意义。 本论文主要针对 S 波段射频 LDMOS 器件进行设计和建模。LDMOS 器件结构 采用了单层 Shield 源极场板；源极有源区采用减小器件面积的 Trench sinker 结构。 基于该结构进行了仿真设计与部分结构参数的优化。并用 Cadence 绘制了器件版 图，在上海华虹宏力半导体公司进行流片实验。对栅长 0.4μm，栅宽 140μm 的器 件得到饱和电流 210mA/mm，击穿电压 65V，阈值电压 1.5V，截止频率 9GHz。对 栅宽 1mm 的器件，获得 3dB 增益压缩功率 30.1dBm，最大增益 20.1dB 以及最大 效率 53.1%，功率密度达到 1W/mm。 最后基于测试数据，采用 Angelov 非线性模型对栅长 0.4μm，栅宽 140μm 的 LDMOS 器件进行了模型分析。其中在直流 IV 模型拟合时，将拟合因子 P1 与漏压 Vds 关联，得到了较好的拟合结果。在非线性电容模型分析中，测试的漏源电容 Cds 发现其受偏压影响较大，因此，同时对 Cds、Cgs 和 Cgd 进行了模型拟合。最后将建 立的模型嵌入到 ADS 中，得到了小栅宽器件的大信号模型。 本论文通过器件设计仿真，测试获得了性能较好的 RF LDMOS 器件。并建立 了双栅指小栅宽器件的大信号模型，为以后对大栅宽大功率 RF LDMOS 器件的建 模奠定了良好的基础。 关键词：射频 LDMOS，Trench sinker，小信号模型，大信号模型 AB ABSTRACT II II ABSTRACT The rapid development of modern mobile communications, for high-quality, high-volume information transmission promoted RF LDMOS to a higher frequency and wider bandwidth applications. The same time it also takes a serious challenge for design. Due to the presence of RD capability in domestic for RF LDMOS behind abroad, to carry out research and design of RF LDMOS has far-reaching significance for defense and national economy. In this paper, the S-band RF LDMOS devices was designed and modeled, which used a single-source field plate shield and trench sinker on source active region. This structure reduces the device area. First, based on the structure, the optimal design and simulation of the structure parameters are made. Drawn the layout of the device with Cadence and taped out in HHGRACE. The device, which gate length and width are 0.4μm and 140μm respectively, obtained 65V of breakdown voltage, threshold voltage of 1.5V and the cutoff frequency of 9GHz. The device with gate width of 1mm, obtain 3dB gain compression point of 30.1dBm, the maximum gain of 20.1dB and maximum efficiency 53.1%, the power density of 1W / mm. Based on the test data, the model for device of dual-finge