SPT薄穿通IGBT的设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

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SPT薄穿通IGBT的设计-微电子学与固体电子学专业论文

万方数据 万方数据 注 1:注明《国际十进分类法 UDC》的类号。 万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名: 日期: 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘要 摘要 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 SPT-IGBT(Soft Punch-Through IGBT)革命性的制造工艺和结构为其带来了 功耗低、功率处理能力强、速度快、可靠性高等优点,较大程度的发挥了硅片的 性能,成为了 IGBT 以后的发展方向。但由于 SPT-IGBT 的制造是基于薄片工艺来 实现的,因此工艺步骤精确度要求高,工艺设备复杂,作为商业机密目前只为几 家半导体产业巨头所有。针对此问题,国内外众多半导体器件工作者进行了广泛 关注和深入研究,当前工作主要集中在新理论结构和新工艺开发两个方面。 本文围绕 SPT 技术新理论、新结构和新器件结构进行研究。提出了新的理念 -结合宽禁带半导体材料和 SPT 技术的理论,并详细介绍了目前应用最广的两种 宽禁带半导体材料 GaN 和 SiC 的基础理论以及其应用的范围。除此之外,基于目 前的国内工艺制造水平对 SPT-IGBT 的工艺进行了研究,提出了首创的改进和优化 措施,分析器件耐压特性及静态特性,讨论相关结构参数对器件性能的影响,并 进行模拟验证。 第一,提出在 SPT 技术中采用宽禁带半导体的理论。该理论基于宽禁带高可 靠性的理论,通过结合 SPT 技术进一步提高击穿电压以及工艺可靠性。由于宽禁 带半导体能承受更高的击穿电场,高温高频特性优良,在 SPT-IGBT 中如果应用部 分改型材料则可以优化耐压和导通电阻的折中,不需要电场截止缓冲层也能达到 同样耐压。SPT 技术结合宽禁带半导体材料的理论,它突破了传统 SPT 技术的局 限,是优化设计新一代 IGBT 耐压的普适理论。 第二,在 SPT 技术指导下,提出了几种新的工艺型 SPT-IGBT。对目前的 IGBT 器件进行研究,基于新的 SPT 技术理论,选择了适合国内实际生产线的工艺设计, 首次提出了新的高可靠性 SPT-IGBT 和低成本 SPT-IGBT 的设计,并由此建立了统 一平台的工艺步骤。讨论了各自新型工艺型 IGBT 的优势。最后将这几种新型 IGBT 推广到试验中。 第三,对提出的两类新的 SPT-IGBT 器件进行了全方位的模拟和对比验证,同 时结合了实际的工程经验,证明了其可靠性和实用性。 关键词:SPT-IGBT,高可靠性,击穿电场,工艺设计 I ABSTRACT ABSTRACT SPT-IGBT (Soft Punch through IGBT) greatly exerts the potential of silicon-based power device due to the advantages such as lowor ullage, superior power management, high speed, perfect reliability and low power dissipation because of its revolutionary structure and manufacture method, and therefore, it is widely developed and applied. But the manufacture technics of SPT-IGBT was controlled by few corporations as a business secret because of the high precision and costly equipment. Up to now, many scientists in semiconductor device throw themselves into the investigation of SPT-IGBT. To

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