ZnO核壳纳米结构生长及其光电器件特性研究-光学专业论文.docx

I I 摘 要 本论文主要开展 ZnO 薄膜在原子尺度上的可控生长、同质和异质核壳纳米结构的 制备及特性研究以及 ZnO 纳米结构的发光器件及光探测器件性质等方面的研究工作， 并取得如下成果： 1. 采用原子层沉积开展 ZnO 薄膜的制备工作，研究沉积温度对 ZnO 薄膜生长速 率、晶体结构和发光特性等方面的影响。通过不同的掺杂手段对 ZnO 薄膜光电性质进 行调控，并以此为基础首次在有机 PVP 纳米纤维表沉积 ZnO 和 Al 掺杂 ZnO 薄膜，得 到 ZnO 基核壳结构纳米纤维；在 ZnO 纳米线表面沉积 Al 掺杂 ZnO 薄膜得到同质 ZnO 核壳纳米线结构，利用光致发光光谱(PL)系统的对核壳纳米线结构的发光特性进行分 析，通观测到由 Al 掺杂 ZnO 壳层所引起双电子卫星峰(TES)，得到发光增强的原因， 为 ZnO 核壳纳米结构光电器件研究奠定基础。 2. 以 SiC 和 GaN 作为 p 型导电材料与 ZnO 构建异质结发光器件，通过 MgZnO 层的引入有效调节 ZnO 与 p 型材料的导带及价带带阶，实现对 ZnO 中电子载流子和 p 型材料中空穴载流子输运情况的调节。MgZnO 层的引入，实现了在 SiC/ZnO 结构中， 位于 388nm 的来自 ZnO 的电致发光(EL)；在此基础上将 MgZnO 层的引入 GaN/ZnO， 进一步增强 ZnO 一侧的电致发光，最后在 GaN/MgZnO/ZnO 引入 ZnO 同质核壳结构纳 米线，由于 Al 掺杂 ZnO 壳层的影响，进一步增加了 ZnO 中电子载流子浓度，极大的 提高了此类异质结 EL 发光强度，相比 GaN/ZnO 其发光强度提高 50 倍。 3. 利用化学浴方法(CBD)在 ZnO 纳米线表面沉积 ZnS 纳米颗粒构成 ZnO/ZnS 核 壳纳米线结构，相比 ZnO 纳米线样品，该核壳纳米线材料室温 PL 发光强度增强了约 4 倍，利用 PL 对样品进行系统的光谱分析并研究其发光来源，发现 ZnO/ZnS 核壳纳米 线结构的非线性系数 α 为 0.91，同时具有与对温度的不敏感性，因此将这种发光增强 归结为 ZnS 壳层所引入的局域态激子。此后对 ZnO/ZnS 核壳纳米线结构进行光响应测 试，由于局域态激子的存在，有效改善了 ZnO 纳米线的紫外光响应特性，相比 ZnO 纳 米线其光电流强度提高约 40 倍。 关键词：氧化锌 核壳纳米结构 局域态激子 异质结 电致发光 紫外光影响 III III ABSTRACT This thesis is focused on the controlled growth and physical properties of ZnO films on the atomic scale, the formation and characteristics of the homogeneity and heterogeneity of core-shell nanostructures and ZnO light emitting device and photo detecting device. The following are the major results: ZnO films were deposited by atomic layer deposition, the influence of deposition temperature on the growth rate , crystal structure and optical properties of ZnO had been discussed. By difference doping methods, the photoelectric properties of ZnO had been adjusted. In addition, for the first time, ZnO and Al-doped ZnO were deposited PVP nanofibers’ surface, which was used the template, then, ZnO/ Al-doped ZnO homo core/ shell structure nanowires were formed. From the PL spectrum, we observed the TES emission, which caused the enhancement of UV emission. Using SiC and GaN as stable p type semiconductors, through a facile