ZnO纳米线肖特基势垒紫外光检测和电阻开关随机存储的研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘 要 在本论文中，我们研究了肖特基势垒对 ZnO 纳米线输运特性的控制作用，通过对 势垒的调控发展了紫外光检测器、电阻式存储器等高性能原型器件。紫外光照下界面 处的氧脱附和空穴捕获，对势垒进行了有效调控，发展了具有高灵敏度和快速回复时 间的紫外光检测器。另外我们还研究了 ZnO 纳米线表面氧空位对势垒结构的控制作 用，利用脉冲电压对界面氧空位浓度进行调控，发展了具有快速写入速度和高读取窗 口比值的电阻开关随机存储原型纳米器件。 第 1 章首先对一维光电探测器和阻变随机存储器研究进展进行了介绍。重点介绍 基于单根纳米线肖特基势垒紫外光检测器和电阻开关随机存储器，并以此为基础明确 了本论文研究选题，目的和主要研究内容。 第 2 章介绍了通过金催化剂辅助 Vapour-Liquid-Solid (VLS)生长方法得到结晶性 良好的单晶 ZnO 纳米线以及采用在位电场组装方法组装得到单根 ZnO 纳米线紫外光 检测器件和阻变开关随机存储器。 第 3 章制备了具有高灵敏度和快速回复时间的 ZnO 纳米线肖特基势垒紫外探测 器，并对其进行了表征。器件的开/关比，灵敏度和光电流增益分别为 4×105, 2.6×103 A/W, 和 8.5×103。当关掉紫外光源时，在快速回复阶段光电流以指数下降约 3 个数量 级，平均恢复时间和时间常数分别为 0.28 s 和 46 ms。进一步讨论了纳米线肖特基势 垒光电探测器的光电流机制和回复过程，指出光电流的遂穿机制是纳米线肖特基势垒 光电探测器具有快速回复时间的根本原因。研究了 ZnO 纳米线表面吸附 O2 和表面态 对空穴捕获对势垒高度的控制作用，并利用紫外光照对 O2 吸附和势垒高度有效调控， 并发展了具有快速回复时间和高灵敏度的紫外检测器，并对得到的紫外光检测器的其 它性能进行了研究。 第 4 章制备了具有快速写入速度和高读取窗口比值的电阻开关随机存储原型纳米 器件。器件的高低阻态开关比为 106, 写入时间为小于 20 ns，开关保持时间大于 104 s。 研究了 ZnO 纳米线表面氧空位浓度对势垒高度及隧穿电流的影响，并利用脉冲电压对 表面氧空位浓度进行了有效调控，进而对 ZnO 纳米线肖特基势垒阻变存储器高低阻态 I II II 的调控。并且分析了影响器件读入和擦除时间的因素，提出了基于对界面氧空位浓度 调控来实现对纳米线肖特基势垒结构进行调控的一维电阻开关存储器机制模型。 关键词：ZnO 纳米线，肖特基势垒，紫外光检测，阻变存储 ABSTRACT In this paper, we studied the effects of adsorbed oxygen of nanowire surface on the Schottky Barrier (SB). By using ultra violet (UV) to achieve effective regulation of oxygen adsorption and SB height, on the basis, the ZnO nanowire Schottky barrier UV detector with high sensitivity and fast recovery time is developed. In addition, we also studied the effects of oxygen vacancy of nanowire surface on the SB. We used pulse voltage to achieve regulation of concentration of oxygen vacancy on the interface, and on the base of which the ZnO nanowire Schottky barrier resistive switch random access memory with fast write time and high read out window is developed. In the first chapter the optoelectronic devices of one-dimensional, including one-dimensional photodetectors and resistance switch random access memory were introduced. The current research and key problems about single nanowire SB UV detector and resistive switch mem