ZnO纳米线阵列的制备及其光电化学性能研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Classified Index: TM23 U.D.C: 31. Dissertation for the Master Degree in Engineering PREPARATION OF ZNO NANOWIRE ARRAY AND PHOTOELECTROCHEMICAL PERFORMANCE Candidate： Rui Zhou Supervisor： Assoc. Prof. Jiao Shujie Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Science and Engineering Affiliation： School of Materials Science and Engineering Date of Defence： July, 2014 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 ZnO 具有优异的光电、力学和热学性质，可广泛应用于太阳能电池、光催化 降解有机物、透明晶体管和紫外发光以及探测器件上。而利用半导体光催化技术， 在光照的条件下降解水中的有机污染物，已成为人类解决环境污染的有效途径。 纳米 ZnO 成本低廉，形貌表现多样，吸附性能良好，具有较大的激子束缚能和较 高的电子迁移率，制备过程中极易形成纳米线，是一种适合的、能够有效降解有 机污染物的半导体光催化剂。但其本身在实际应用中还存在一些问题。对纳米 ZnO 进行改性，提高其量子效率，抑制载流子在的复合，扩展其光响应范围，增强其 在可见甚至红外波段的吸收利用，这是提高纳米 ZnO 光电化学性能的主要途径， 也是该领域的主要研究热点。本文通过电化学沉积的方法，沉积制备了 ZnO 纳米 线结构。以 SEM 和 XRD 等表征手段，研究了电解液中杂质离子对纳米 ZnO 形貌 的影响及其作用机理；尝试通过硫化和包覆的方法，对 ZnO 纳米线进行改性，并 通过降解甲基橙试剂为表征，研究了 ZnO 的光电催化性能。 首先用电化学沉积的方法，制备 ZnO 纳米线阵列。在电解液中加入不同浓度 的 Pb2+离子，表征结果证明，在纳米 ZnO 的制备过程中，电解液中痕量（10-6）的 Pb2+不仅可以有效改善其取向，同时可以大量增加 ZnO 纳米线的密度，同时只会 产生很少的缺陷；当 Pb2+含量继续增多时，会在纳米 ZnO 中引入较多的杂质离子 和缺陷，对其性能产生较大的影响；在电解液中加入 15%浓度的 Li+，由此制备的 纳米 ZnO 出现大面积倒伏，且棒体粗细不均且表面遍布缺陷及绒状附着物；在电 解液中分别加入不同浓度的 Mg2+，由此制备出的 ZnO 纳米线形成花瓣状团簇，且 花瓣中心呈二维的周期性排布。这种趋势随着 Mg2+浓度的增加越来越明显。 为了研究硫化对 ZnO 纳米线光催化性能的影响，将制备好的纯纳米 ZnO 在 60°C 的 Na2S 水溶液中，恒温反应 0.5/1/2/3/5/10 h，对硫化后 ZnO 纳米线的 SEM 和 XRD 图谱显示，硫化过程在 ZnO 纳米线上溶解产生了细纹和龟裂，随着硫化 时间的增加，ZnO 纳米线甚至发生断裂，暴露出新的晶面。分别以不同硫化时间 的 ZnO 纳米线为催化剂，在氙灯的照射下（用以模拟自然光照条件），催化降解甲 基橙溶液。结果证明，硫化后纳米 ZnO 的催化降解速率有所提升；在一定时间范 围内，硫化时间越长，光催化性能越好。 以制备出的 ZnO 纳米线为阴极，在其表面沉积 Mg(OH)2；通过逐次化学浴法， 在纯 ZnO 纳米线表面包覆 PbS。通过 XRD 和 SEM 谱图，对制得的样品分别进行 表征和分析。降解实验证明，沉积 Mg(OH)2 后，纳米 ZnO 的光催化性能有微弱提 I 高；包覆 PbS 可以明显提高纳米 ZnO 的光催化性能，包覆次数越多，对其光催化 性能的提高越明显。 关键词：电化学沉积；ZnO 纳米线；硫化；包覆；光电化学性能 II Abstract ZnO has excellent optical, mechanical and thermal performance and can be widely applied in solar cell, photocatalytic degradation of organic matter, transparent transistors and UV emission and detecting device. It has bec