定向生长碳纳米管研究进展‘.PDFVIP

2OO2年 8月 重庆大学学报 (自然科学版) v01．25 No．8 第25卷第8期 Journal of alor University(Natural Science FAifion) Aug．2OO2 文章编号：1000—582X(2002)08—0134—03 定向生长碳纳米管的研究进展‘ 王 必 本 一，王 万录2，刘 高斌2，Seungh0 Choi (1．亚洲大学分子科学与技术系，水原 442—749，韩国；2．重庆大学应用物理系，重庆 4OOO44) 摘 要：由于碳纳米管具有独特的结构和性能，因而自从被发现以来一直受到人们的关注。近年来， 已利用各种方法成功的合成出碳纳米管，特别是利用化学气相沉积(CVD)方法制备了高度准直的碳纳米 管，实现了碳纳米管的定向生长，使得碳纳米管具有更加广泛的应用价值和研究价值。本文综述了近几 年CVD定向生长碳纳米管的方法和生长机制，分析和讨论了不同制备方法对碳纳米管生长过程的影响， 同时还着重分析了催化剂颗粒在碳纳米管的生长过程中对定向生长碳纳米管的作用。 关键词：碳纳米管；CVD；生长机制 中图分类号：TQ127．1l 文献标识码：A 碳纳米管是由碳原子的六角点阵二维石墨片绕中 偏压增强热灯丝CVD(Negative Bias—enhanced )和 心轴按一定的螺旋角卷曲而成的无缝管状结构。它具 电子回旋共振CVD(Electron Cyclotron Resonance CVD)。 有的独特结构、特殊的物理性能和化学性能(如高的长 热CVD是在一平放的管式炉中放入作为反应器 径(长度与直径)比n】、高的力学强度 和依赖于直径 的石英管。石英舟被放入石英管中用来承载衬底，通 和螺旋性而成为导体或半导体的性能等)，因而它是一 过电阻丝加热。反应气体多为C2 H2，H2和NI-I3。利用 种应用广泛的材料(如用来存储氢 J、锂离子电池的电 该方法可在不同的部位进行加热，高温区分解气体，低 极【4 等)。因此，自从 1991年njim~-5 发现了碳纳米管 温区生长碳纳米管。在温度低于550 oC的情况下。可 之后，碳纳米管的研究一直倍受人们的关注，特别是近 实现碳纳米管的定向生长[】 。但在利用热CVD定向 几年对碳纳米管的研究在世界范围内形成了高潮。目 生长碳纳米管时，必须先在si衬底表面上形成一层氧 前，已利用各种方法制备出了碳纳米管。如弧光放 化硅再沉积催化剂，且还要通入氨气(NI-I3)，方可生长 电 】，激光烧蚀-7J，火焰燃烧 J，热解碳氢化合物 J，化 准直的碳纳米管，如果直接在沉积催化剂的Si表面上 学气相沉积(CVD)¨刚等。而且利用CVD制备出了高 定向生长碳纳米管，将会非常困难n引。M．Jung等[】 】 度准直的碳纳米管，实现了碳纳米管的定向生长，使得 认为NI-I3在碳纳米管的生长过程中促进了碳在催化 碳纳米管优良的性能愈来愈呈现出来。使它的应用前 剂表面的形成和从催化剂中的析出，即增强了反应速 景更加广泛。由于具有高的长径比、独特的导电性能 率。 等特征，它能够在较低的电场下发射电子，是一种理想 微波等离子体CVD是利用波导管把微波电源耦 的场发射阴极材料¨¨，是制备平面显示器中的最佳材 合到不锈钢反应腔中，产生等离子体使气体电离，在衬 料。因此制备高度准直碳纳米管具有重大的意义。笔 底上沉积碳纳米管。其中衬底通过加热器或等离子体 者对近年来定向生长碳纳米管的研究进行了综述、分 的轰击进行加热。电子回旋共振CVD是将电子回旋 析和讨论了它的生长机制，以便为定向生长碳纳米管 共振器和微波等离