原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
December Acta Phys. -Chim. Sin. 2016, 32 (12), 2905－2912 2905
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201609201
Se 掺杂对单层MoS 电子能带结构和光吸收性质的影响
2
李 刚 陈敏强 赵世雄 李朋伟 胡 杰 桑胜波* 侯静静
(太原理工大学信息工程学院，新型传感器和智能控制系统教育部重点实验室微纳系统研究中心，太原030024)
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了Se 掺杂单层MoS 能带结构和光吸特性，并分析了对其
2
+
光解水性质的影响。结果表明：本征单层MoS 为直接带隙结构，禁带宽度为1.740 eV，导带底电位在H /H
2 2
还原势之上0.430 eV，价带顶电位在O /H O 的氧化势之下0.080 eV，具有可见光催化分解水的能力，但氧
2 2
化和还原能力不均衡，导致单层MoS 作为光催化剂分解水的效率不高。通过Se 掺杂计算发现，单层MoS
2 2
的禁带宽度变为1.727 eV，相应的光吸收谱变化幅度几乎不变，且体系的形成能较低，表明其热力学稳定性
+
良好。然而，导带底电位调整到H /H 还原势之上0.253 eV，价带顶电位处于O /H O 的氧化势之下0.244
2 2 2
eV，平衡了氧化与还原能力，单层MoS 可见光催化分解水的效率得到提高。
2
关键词：单层MoS ；掺杂；光解水；第一性原理
2
中图分类号：O641 ；O646 ；O649
Effect of Se Do
文档评论（0）