1. 场效应管的特点和分类1336最全版.pptVIP

图1.4.7 （2） N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线与输出特性曲线如图1.4.8所示，与JFET一样，可分为四个区：可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。 ②转移特性 ① 输出特性 VGS(th) 图 1.4.8 夹断区 2VGS(th) （二）N沟道耗尽型MOS管（其结构和符号如图1.4.9所示） 图1.4.9 与 N沟道增强型MOS管不同的是， N沟道耗尽型MOS管的绝缘层中参入了大量的正离子，所以，即使在vGS=0时，耗尽层与绝缘层之间仍然可以形成反型层，只要在漏-源之间加正向电压，就会产生iD。 若vDS为定值，而vGS 0， vGS ? ? iD ?；若vGS0， vGS ? ? iD ? ，当vGS减小到一定值时，反型层消失，导电沟道被夹断， iD=0。此时的vGS称为夹断电压VGS(off) 。 若vGS VGS(off)，且为定值，则iD 随vDS 的变化与N沟道增强型MOS管的相同。但因VGS(off) 0，所以vGS在正、负方向一定范围内都可以实现对iD的控制。其转移特性曲线与输出特性曲线见教材P44。 （三）P沟道MOS管 P沟道MOS管与N沟道MOS管的结构相同，只是掺杂的类型刚好相反，所以其电压和电流的极性与N沟道MOS管的相反。其转移特性曲线与输出特性曲线见教材P44。 Home VMOS管与 普通MOS管只是制造工艺上的差别，原理上并没什么不同。但其性能与 普通MOS管相比，VMOS管的漏区散热面积大，耗散功率可达kW以上；其漏-源击穿电压高，上限工作频率高，线性好。 （四）VMOS管 4. 场效应管的主要参数 （一）直流参数 ①开启电压VGS(th)：对增强型MOS管，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ②夹断电压VGS(off) （或VP）：对耗尽型MOS管或JFET ，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ③ 饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET ，VGS=0时对应的漏极电流。 ④ 直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω， MOS管的RGS大于109Ω， 。 （二）交流参数 ① 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 Home Next Back ? 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。 （三）极限参数 ① 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 ? 击穿电压V(BR) DS、 V(BR) GS：管子漏-源、栅-源击穿电压。 ③ 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。 注意 ：对于MOS管，栅-衬之间的电容容量很小，RGS很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，无论是工作中还是存放的MOS管，都应为栅-源之间提供直流通路，避免栅极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。 ③ 输出电阻rd： Home Next Back 5. 场效应管与晶体管的比较 ① 场效应管的漏极d 、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。 ② 场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。 ? 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。 ? 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。 ? 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 ? 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。 ? 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 思考题 场效应管符号中的箭头方向表示什么？ 为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？ 场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？ 使用MOS管应注意些什么？ MKKLL JHKJK MKKLL JHKJK MKKLL JHKJK MKKLL JHKJK MKKLL