tft_lcd液晶显示器的原理(novatek).pdfVIP

TFT LCD 液晶显示器的驱动原理(一) 前两期针对液晶的特性与TFT LCD 本身结构介绍了有关液晶显示器操作的基本 原理。这次将针对TFT LCD 的整体系统面，也就是对其驱动原理来做介绍，而 其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系而有所不同。首先将介绍由于 Cs(storage capacitor)储存电容架构不同，所形成不同驱动系统架构的原理。 Cs(storage capacitor)储存电容的架构 一般最常见的储存电容架构有两种，分别是Cs on gate 与Cs on common 这两种。 顾名思义，两者的主要差别在于储存电容是利用gate 走线或是common 走线来完 成。在上一期文章中曾提到，储存电容主要是为了让充好电的电压能保持到下一 次更新画面的时候之用，所以必须像在CMOS 的制程之中，利用不同层的走线 来形成平行板电容。而在TFT LCD 的制程中，则是利用显示电极与gate 走线或 common 走线所形成的平行板电容，来制作出储存电容Cs。 Cs Common Cs Gate Line Gate Line TFT TFT D D a a t 液晶畫素 t 液晶畫素 a a L L i i n n e e Cs on Cs Cs on Common Common Cs Gate 图1 Cs on common 与Cs on gate 的架构 图1 就是这两种储存电容架构，图中可以很明显地知道，Cs on gate 由于不必像 Cs on common 需要增加一条额外的common 走线，所以其开口率(Aperture ratio)比 较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素，所以现今面板的设 计大多使用Cs on gate 的方式。但是由于Cs on gate 方式的储存电容是由下一条的 gate 走线与显示电极之间形成的(请见图2 中Cs on gate 与Cs on common 的等效电 路) ，而gate 走线就是接到每一个TFT 的gate 端的走线，主要是作为gate driver 送出信号来打开TFT ，好让TFT 对显示电极作充放电的动作。所以当下一条gate 走线送出电压要打开下一个TFT 时，便会影响到储存电容上储存电压的大小。 不过由于下一条gate 走线打开到关闭的时间很短(以1024 x 768 分辨率，60Hz 更 新频率的面板来说。一条gate 走线打开的时间约为20μs ，而显示画面更新的时 间约为16ms ，所以相较下影响有限) ，所以当下一条gate 走线关闭，回复到原先 的电压，则Cs 储存电容的电压，也会随之恢复到正常。这也是为什么大多数的 储存电容设计都是采用Cs on gate 的方式的原因。 資料電極 資料電極