Q31_0115000947C004高速低残压半导体保护器件最新.pdf

上海长园维安微电子有限公司企业标准 Q31/0115000947C004 高速低残压半导体保护器件 2018-05-07 发布 上海长园维安微电子有限公司发布 自我承诺 我司编写并公开的Q31/0115000947C004《高速低残压半导体保护器件》规定的内容符合国 家有关法律法规、强制性标准及相关产业政策的要求，并按照规定程序由企业法人代表批准发 布。 我司生产的产品符合本标准规定的各项技术要求，标准编号在相应的产品包装上明 示。 我司对声明公开信息的真实性、准确性、合法性负责，对本标准实施的后果承担全部法 律责任。 上海长园维安微电子有限公司 2018-05-07 Q31/0115000947C004 技术指标1 指标名称： 反向工作电压VRWMM 指标要求： 3.3V/5V 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标2 指标名称： 最大反向漏电流IR 指标要求： 500nA 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标3 指标名称： 击穿电压VBR(3.3V) 指标要求： 2.8V 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标4 指标名称： 击穿电压VBR(5V) 指标要求： 6V 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标5 指标名称： 击穿电压VBR(5V) 指标要求： 6V 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标6 指标名称： 正向压降VF Q31/0115000947C004 指标要求： 1.2V 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标7 指标名称： 静电放电抗扰性电压VESD 指标要求： 22kV 测试方法名称： GB/T 17626.2-2006 技术指标8 指标名称： 电容值Cj 指标要求： 5pF 测试方法名称： GB/T 18802.321-2007 技术指标9 指标名称： 钳位电压VC 指标要求： 25V 测试方法名称： GB/T17626.5-2008 技术指标10 指标名称： 可靠性试验 指标要求： JEDEC标准 测试方法名称： JEDEC标准