高效晶体硅太阳能电池背场钝化技术hmagtyx3.docVIP

高效晶体硅太阳能电池作者：S.W. Glunz，Fraunhofer Institute of Solar Energy System如今的晶体硅光伏组件的成本分布主要是材料成本，特别是硅片成本。因此，采用更薄的硅片以及增加电池的转换效率引起了光伏业界的广泛兴趣。 表面钝化电介质钝化与背表面场所有转换效率大于20%的电池结构都具有电介质层的钝化表面。然而，目前业界的晶体硅太阳能电池的表面结构多采用的是丝网印刷和热场Al背表面场（Al-BSF）。它有两个主要的限制：由烧结工艺带来的硅片弯曲；更低的电学和光学特性。特别是，Sback、背表面再复合速率是关键的参数，但是在文献中却有着大量的数值。这使得衡量Al-BSF的潜力与电介质钝化变得很困难。 我们对不同的背表面结构并结合高效前表面结构进行了实验。这将有可能准确的确定表面的再复合速率、Sback以及内部反射率Rback。 图1表示了不同背表面结构的内部量子效率，从低质量的欧姆Al接触开始一直到PERL/LBSF背表面。有效的Sback和Rback已经从IQE和反射率测量中去除。 采用这些参数就有可能确定不同背表面结构对太阳能电池性能的影响（图2）。电介质钝化甚至比高质量的发射极和更薄的硅片带来的好处更多。 电介质层的钝化机理良好的表面钝化有两种不同的机理：交界面状态Dit的降低；场效应钝化，即钝化层中一种载子类型与固定电荷Qf结合时的显著降低。尽管这些机理或两种机理的结合会导致较低的表面再复合速率，Seff(Δn)曲线显示了不同的特性（图3）。热生长的SiO2层更容易获得交界面状态的降低，而对于PECVD沉积的薄膜，如SiNx，场效应钝化和中等程度的Dit降低则更为常见。SiO2的Dit=1010cm2eV-1，Qf=1010cm2。而SiNx的Dit=1011cm2eV-1，Qf=1011cm2。 沉积温度形成电介质钝化层的一个关键问题是沉积温度。目前为止，最好的电池钝化是热生长的氧化层。热氧化物在过去的几十年里，已经为MOS技术进行了大量的优化。因此，已经可以获得极低的界面状态密度和表面再复合速率。最终，典型的热氧化物温度是1050左右。对于高质量的FZ-Si来说，温度范围没有问题，甚至增加了Czochralski法生长的氧化物的少子寿命，但对于铸锭多晶硅却是有害的。对于这样的材料，少子寿命将会以因子为10的速度减少。因此，需要找到能够在更低的温度沉积钝化层的方法。热氧化物可以在潮湿的氛围内在850左右生长。潮湿的环境显著的增加了氧化速度，可以在合理的时间内获得典型的厚度为105nm的氧化层。这种方法已被应用于多晶硅，并实际测得转换效率20.3%。这些电池的平均效率高于18%，表明低质量的区域经过该种处理并没有情况恶化。另一种有意思的方法是在850在干燥氛围内沉积一层薄的氧化层。该较薄的氧化层上必须再沉积一层薄膜。 沉积PECVD SiNx是第二种最佳方案。最佳的沉积温度范围是350°到400。实现了低于10cm/s的最佳表面再复合速度。SiNx的另一优势是它和氢结合在一起可以起到多晶硅钝化层的作用。取代PECVD的最快的方案是溅射，采用该方案可以会的低于30cm/s的最佳表面再复合速度。 如果非晶硅被用作背面钝化层，那么最低的沉积温度范围是200到250。这种钝化结构已经成功的应用在HIT上，并获得了21%的转换效率。最近的研究结果表明，非晶硅也可以用于具有扩散发射极的标准电池结构上，转换效率可以超过20%。 预处理另一个技术问题是制造节点值层之前的表面处理。洁净的表面对于氧化工艺非常重要，否则污染物会扩散进入电池。对于沉积的钝化层来说，由于工艺温度较低，这个问题不是非常严重。然而，在先前的刻蚀步骤后会留下一层浅的晶体损伤层，它将显著降低钝化层的质量。这个问题对于氧化表面来说不是非常明显，因为在氧化过程中，上层的硅已被去除。 另一个课题是表面几何形状。与微电子相比，太阳能电池的表面更加粗糙，这是由于刻蚀或是湿法腐蚀制绒工艺带来的各向异性的损伤。 评价粗糙的表面是否会导致较低的光学和电学性能是非常重要的。为此，我们准备了一系列具有不同表面形貌的电池，材料均为FZ-Si（图4）。电池结构是：正面为任意金字塔结构，热氧化物厚度为105nm，120Ω/sq的磷发射极；背面是105nm厚的热氧化物， 2μm铝和LFC接触。 背表面被损伤刻蚀和光滑刻蚀的电池几乎表现出了相同的性能（表2）。但是背表面制绒的电池的效率较低，这是由于制绒表面特性较差而引起的电流的损失。图5是较差的长波长响应。 内部反射紧接着钝化质量，下一个非常重要的研究室分析背表面钝化层的光学效应。传统的Si/SiO2/Al具有较高的内部反射率，这是由于SiO2较低的反射系数(n=1.46)。正面的金字塔制绒导