可关断晶闸管gto14 电力晶体管.pptxVIP

典型全控型器件;典型全控型器件 ;典型全控型器件;1.3 可关断晶闸管(GTO)—全控型;1.3 门极可关断晶闸管(GTO)—全控型;1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理;1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理;1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理;1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理;1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理;1.3.2 可关断晶闸管的基本特性;;1.3.3 可关断晶闸管的主要参数;1.3.3 可关断晶闸管的主要参数;1.3.3 可关断晶闸管的主要参数;1.3.4 可关断晶闸管的安全工作区;GTO的安全工作区;1.3.5 GTO的门极驱动电路;(1) 对门极触发信号的要求 因为GTO工作在临界饱和状态，所以门极触发信号要足够大， 脉冲前沿(正、负脉冲)越陡越有利，而后沿平缓些好。正脉冲后沿太陡会产生负尖峰脉冲；负脉冲后沿太陡会产生正尖峰脉冲，会使刚刚关断的GTO的耐压和阳极承受的du/dt降低。 为了实现强触发，门极正脉冲电流一般为额定触发电流(直流)的(3～5)倍。;(2) 门极触发方式 GTO门极触发方式通常有下面三种： ① 直流触发 在GTO被触发导通期间，门极一直加有直流触发信号。 ② 连续脉冲触发 在GTO被触发导通期间，门极上仍加有连续触发脉冲，所以也称脉冲列触发。 ③ 单脉冲触发 即常用的脉冲触发，GTO导通之后，门极触发脉冲即结束。;1.3.5 GTO的门极驱动电路;1.4 电力晶体管(GTR)—全控型;1.4 电力晶体管(GTR)—全控型;与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。;;1.4.2 GTR的基本特性;;1.4.2 GTR的基本特性;;;td存在原因 基极驱动信号到来之前，发射结和集电结都处于反偏状态，它们的空间电荷区较宽。 当Ui到来时，虽然基极电流立即上升到IB1，但发射结仍然处于反偏状态。IB1提供空穴，填充发射结空间电荷区，抵消部分静电荷，使空间电荷区变窄，发射结反偏变小。只有发射结接近正向偏置时，iC才开始上升，在这段时间内有IB1而几乎无iC，由于发射结和集电结势垒电容效应，只有势垒电容充电到一定程度，GTR才开始导通，所以存在延迟时间td。;tr存在原因 发射结进入正偏，此后，正偏不断增大，iC不断上升，BJT接近或进入饱和区。IB1一方面继续给发射结和集电结势垒电容充电，另一方面使基区的电荷积累增加，并且还补充基区复合所消耗的载流子，这就存在着上升时间tr。;tf存在原因 当Ui变为负值，基极电流变为IB2，但iC不立即变小，而是当基区的电荷减少一定程度，IC才开始下降，所以存在存储时间ts。当发射结由正偏变为反偏，集电结和发射结电荷区变宽，iC下降较快，这就有下降时间tf。;1.4.3 GTR的主要参数;1.4.3 GTR的主要参数;1.4.4 二次击穿现象与安全工作区;1.4.4 二次击穿现象与安全工作区;晶体管二次击穿的特点： ① 在二次击穿点停留的时间? 称为二次击穿的延迟时间，对于不同类型的二次击穿，这一时间的长短相差很大。 ② 从C点到D 点的过渡几乎是瞬时的，晶体管的状态不可能稳定在C～D这一区域内，而且到E点是不可逆的。即使使晶体管回到触发前的状态，但重复几次仍然会使晶体管变成永久性失效。 ③ 在D点的电压称为二次击穿的维持电压。维持电压都在10V～15V左右。;(3) 产生二次击穿的原因 二次击穿主要是由于器件芯片局部过热引起。 在正向偏置时，温度升高是由热不均衡性引起的。由于晶体管的结面上有缺陷和参数分布不均匀，导致电流分布不均匀，从而引起温度分布不均匀。温度高的局部区域载流子浓度将增加，使电流更加密集，这种恶性循环形成热不稳定性。如果局部区域所产生的热量不能及时散发，将使电流上升失去控制。一旦温度达到材料熔点，便造成永久性破坏。;反向偏置时，温度升高是由雪崩击穿引起的。由于发生一次雪崩击穿之后，在某些点上因电流密度过大，改变了结电场分布，产生负阻效应，从而使局部温度过高的一种现象。 二次击穿最终是由于局部过热而引起，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流和一定的时间。因此，集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。;;1.4.5 驱动电路;（2）对基极驱动电路的基本要求： ① GTR导通时，基极电流值在最大负载下应维护GTR饱和导通，电流的上升率应充分大，以减小开通时间。 ② GTR关断时，反向注入的基极电流峰值及下降率应充分大，以缩短关断时间