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2018-09-15 发布于安徽
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CMOS10um工艺流程课件.ppt

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1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 155.ADIOVERLAY check(+ -0.35;1.0COMS;METAL-1) 156.Hard bake(118C 50min) 157.Metal dry-etch(8330ABCD:5000-AlSiCu) 158. PR Stripping (EKC830) 159. Ashing (PSC:MATEL) 160. After-etch inspection (matel after PR strip) P-TYPE N-WELL P-WELL FOX 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 161.PEOXIDE Deposition(ND6200;3000ang) 162.SOG coating(2300ang/recipe-2);the first coating 163.SOG coating(2300ang/recipe-2);the second coating 164.VAC-BAKE IN OBM AFTER SOG COATING 165.SOG CURING (420 DEG,7F1/7F2) P-TYPE N-WELL P-WELL FOX 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 166.DI-WATER RINSE 167.PEOXIDE deposition 5000ang 168.Scrubber clean for ND6200 5000A PEOXIDE/PROG.8 169. PR coat (V3;TK=1.55u;SVG=151) P-TYPE N-WELL P-WELL FOX 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 170.VIA layer alignment exposure(178)focus+(-0.5um) 171.DEV PR(MF320;VIA;V3;SVG=31;TEL=3) 172.VIA ADI CD measurement (spec+ -0.12um)(spec1.2+ -0.12(1.2)) 173.Hard bake P-TYPE N-WELL P-WELL FOX * 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 1.Wafer Start P TYPE 100,8-12OHM-CM 2.Wafer laser mark 3.Scrubber clean after wafer laser mark 4.C1 clean 5.Pad oxide(1000 deg C;Tox:350 ang) 6.Si3N4 deposition(Thickness:1500 ang) P-TYPE 与RCA C1 clean 有什么区别 ?? 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 7.RCA C1 clean 8.After Si3N4 deposition inspection 9.PR coat (JSR-7980;TK=1.22u;SVG=111;TEL=1) 10.N well alignment exposure(192) P-TYPE PR 与 C1 CLEAN ??都代表什么? 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 11.Develop PR(MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7) 12.ADI check 13. Hard-bake(1180C 35min) 14.Si3N4 dry-etch(490ABC: Si3N4 ) 15.Pad thickness-measure(after Si3N4 etch) 16.N-Well implant(P31/100keV/1.0E13) P-TYPE PR N-WELL P31 ?? 作用? 做什么? 1.0um CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 17.Ashing(PSC Partial-strip:poly,codeimp) 18.Photoresist stripping(H2SO4) 19.After-etch inspection 20.Standard clean 21.Well oxidation(5F1,2,4/6F1;980 DEG C;Tox:6000 ang) 22.BOE(Buffer Oxide Etching) 10:1 Wet-etch(BOE7,BOE9