双极型晶体管的直流白底.pptxVIP

半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 P IVRVRVR I f 参数CMCM CBO CEO EBOC BO T mW mA VVVAμMHz 型号 125 125 20 126 83AX31D≤*≥3BX31C 125 125 40 24≤6*≥ 83CG101C 100 30 450.1 1003DG123C 500 50 40 300.353DD101D 5W 5A 300 2504≤2mA3DK100B 100 30 25 15≤0.1 3003DK23G250W 30A 400 325 8 双极型三极管的参数注：*为 f? 主要内容 讨论双极型型晶体管的直流特性，内容包括：§2.1 基本结构和杂质分布§2.2 放大机理§2.3 直流特性及电流增益§2.4 反向电流及击穿电压§2.5 直流特性曲线§2.6 基极电阻§2.7 等效电路模型－Ebers-Moll模型集电极发射极发射结集电结发射区基区集电区基极§ 2.1 双极晶体管的基本结构和杂质分布1. 基本结构两个背靠背靠得很近的p-n结组成了双极型晶体管：基区宽度远远小于少子扩散长度分为：npn和pnp两种类型双极型晶体管的结构 一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。 双极型晶体管的结构示意图如图所示。它有两种类型:npn型和pnp型。 两种极性的双极型晶体管 c-b间的pn结称为集电结(Jc)e-b间的pn结称为发射结(Je) 中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）； 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度应远小于少子扩散长度。2. 杂质分布合金管两个p-n结都用合金法烧结而成三个区内杂质各自均匀分布发射结和集电结都是突变结均匀基区晶体管2. 杂质分布合金扩散管缓变基区晶体管发射结为合金结，集电结为扩散结发射结是突变结，集电结是缓变结基区杂质分布缓变2. 杂质分布平面管缓变基区晶体管发射结和集电结均为扩散结基区杂质分布缓变2. 杂质分布集电结为扩散结发射结可为扩散结或合金结基区杂质分布缓变台面管用化学腐蚀方法制出台面，消除集电结边缘电场集中，提高反压。§ 2.2 晶体管的放大机理1. 晶体管的能带图及少子分布2. 晶体管中的电流传输过程及放大作用载流子传输过程晶体管的三种连接方式及其电流放大系数描述电流放大系数的中间参量§ 2.2 晶体管的放大机理1. 晶体管的能带图及少子分布有效基区宽度几何基区宽度载流子传输过程： 1. 发射结注入 2. 基区输运 3. 集电结收集2. 晶体管中的电流传输过程及放大作用双极型晶体管放大机理共基极电流放大系数：共基极直流短路电流放大系数?0 共基极短路电流放大系数 ?n p n两种电流放大系数之间关系：共发射极电流放大系数：共发射极直流短路电流放大系数?0共发射极短路电流放大系数 ?晶体管的三种连接方式及其电流放大系数忽略势垒复合，发射结正向电流中电子电流（将可能形成集电极电流）所占的比例描述电流放大系数的中间参量描述少子在基区输运过程中复合损失的程度发射结注入效率 ?基区输运系数 ?*集电区倍增因子?*因高阻集电区压降而形成附加的少子漂移电流使集电极电流增大集电结雪崩倍增因子M集电结势垒区中雪崩倍增效应引起集电极电流的增大忽略势垒复合，发射结正向电流中电子电流（将可能形成集电极电流）所占的比例描述电流放大系数的中间参量描述少子在基区输运过程中复合损失的程度发射结注入效率 ?基区输运系数 ?*集电区倍增因子?*因高阻集电区压降而形成附加的少子漂移电流使集电极电流增大集电结雪崩倍增因子M集电结势垒区中雪崩倍增效应引起集电极电流的增大绝大多数晶体管正常工作时§2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益 (Ie，Ic) ~V电流增益表达式组成(Ie，Ic)的各电流分量 ~V中间参量晶体管各区中载流子随电压变化的分布函数一、均匀基区晶体管（以npn管为例）(一)晶体管内少数载流子浓度分布函数(二)电流密度分布函数(三)直流电流—电压基本方程1.基区电子浓度分布函数(四)均匀基区晶体管的直流电流增益2. 发射区和集电区空穴浓度分布二、缓变基区晶体管（