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电流镜 CMOS模拟集成电路设计 带隙基准 提纲 1、概述 2、与电源无关的偏置 3、与温度无关的基准 4、PTAT电流的产生 5、恒定Gm偏置 1、概述 基准 目的：建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。 与温度关系： 与绝对温度成正比（PTAT） 常数Gm特性 与温度无关 2、与电源无关的偏置 电流镜 “简并”偏置点 3、与温度无关的基准 3.1 负温度系数电压 3.2 正温度系数电压 3.3 带隙基准 3.3 带隙基准（续） 3.3 带隙基准（续） 3.3 带隙基准（续） 3.3 带隙基准（续） 3.3 带隙基准（续） 4、PTAT电流的产生 PTAP电流 5、恒定Gm偏置 与电源无关的偏置电路是确定跨导的简单电路 小结 与电源无关的偏置 自举——互相复制 与温度无关的基准 负温度系数电路与正温度系数电路相加补偿 工艺兼容性；运放失调；反馈；稳定性；启动 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 * 带隙基准 概述 与电源无关的偏置 与电源有关 电阻?IREF？ 与电源无关的电流镜 互相复制——“自举” 问题：电流可以是任意的！ 增加一个约束：RS 忽略沟道长度调制效应， 与电源无关的偏置 忽略体效应， 则 VGS1 VGS2 消除体效应的方法： 在N阱工艺中，在P型管（PMOS）的上方加入电阻，而PMOS的源和衬连接在一起。 如果沟道长度调制效应可以忽略，则上述电路可以表现出很小的电源依赖性。因此，所有晶体管应采用长沟器件。 与电源无关的偏置 电路可以稳定在两种不同的工作状态的一种。 Iout?0 电路允许Iout=0 增加启动电路，使电路在上电时摆脱简并偏置点。 启动电路的例子： 条件： 上电时提供通路：VTH1+VTH5+|VTH3|VDD 启动后保证M5关断：VGS1+VTH5+|VGS3|VDD 与温度无关的基准 对于一个双极器件， 而 计算VBE的温度系数（假设IC不变）， 则， 例， VBE?750mV，T=300K时， ?VBE/ ?T ?-1.5mV/K m?-3/2， VT=kT/q， 硅带隙能量Eg ?1.12eV 与温度无关的基准 如果两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，那么它们的基极-发射极电压差值就与温度成正比。 则 例1：如果两个同样的晶体管偏置的集电极电流分别为nI0和I0，忽略基极电流，则 例2：如果如右图的两个晶体管偏置的集电极电流分别为nI0和I0，忽略基极电流，则 则，温度系数为(k/q)ln(mn) 与温度无关的基准 室温下， ?1？ ?2lnn？ 令?1＝1，则 ?2lnn＝17.2，则得到零温度系数基准 ? VO2=VBE2+VTlnn 见右图，强制VO1=VO2, 与温度无关的基准 采用运算放大器，使X点和Y点近似相等。 IC2 IC2 与温度无关的基准 讨论 与CMOS工艺兼容 在常规（标准）N阱CMOS工艺中，可以形成PNP型晶体管。 与温度无关的基准 讨论（续） 运放的失调 不接地， 工艺不兼容 与温度无关的基准 讨论（续） 反馈 负反馈系数 正反馈系数 正反馈应小于负反馈 与温度无关的基准 讨论（续） 何谓“带隙”？ =0 得到 电源高频抑制性能与启动问题 曲率校正 PTAT电流的产生 在带隙基准电路中，双极型管的偏置电流是与绝对温度成正比（PTAT）电流 简化的PTAP电路： 见右图，要使ID1=ID2，必须VX=VY,因此 此电路可以改为产生带隙基准电压的电路， =(CSfCK)-1 因此， 采用开关电容电路代替电阻可以达到更高的精度。 带隙基准 ? Feedback is employed in the reference generator. Loop stability must be ensured. ? The stability can be tested by observing the output step response. ? Capacitive loading at the output of reference generator has to be either extremely large (i.e., off-chip capacitors, undesirable because of extra pin, lead inductance, ...) or very small (not easy to accomplish). ? Can use buffers to reduce the output loading. But additional offset and drift are introduced. ? One poss