NiAun-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型.PDFVIP

Ni/Au/n-GaN 肖特基二极管可导位错的电学模型 王翔 陈雷雷 曹艳荣 羊群思 朱培敏 杨国锋 王福学 闫大为 顾晓峰 PhysicalmodelofconductivedislocationsinGaNSchottky diodes Wang Xiang Chen Lei-Lei Cao Yan-Rong Yang Qun-Si Zhu Pei-Min Yang Guo-Feng Wang Fu-Xue YanDa-Wei GuXiao-Feng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,177202(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I17 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备 Designandfabricationofhighelectronmobilitytransistor devices with gallium nitride-based 物理学报.2017,66(24): 247203 /10.7498/aps.66.247203 加载功率与壳温对AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响 Influence of power dissipation and case temperature on thermal resistance of AlGaN/GaN high-speed electronmobilitytransistor 物理学报.2016,65(7): 077201 /10.7498/aps.65.077201 金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究 Room-temperature thermoelectric properties of GaN thin films grown by metal organic chemical vapor deposition 物理学报.2015,64(4): 047202 /10.7498/aps.64.047202 中子辐照对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管器件电特性的影响 Effectofneutronirradiationontheelectricalpropertiesof AlGaN/GaN high electronmobility transistors 物理学报.2014,63(4): 047202 /10.7498/aps.63.047202 原子层沉积Al O /n-GaNMOS 结构的电容特性 CapacitancecharacteristicsofatomiclayerdepositedAl O /n-GaNMOSstructure 物理学报.2013,62(19): 197203 /10.7498/aps.62.197203 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 17 (2018) 177202 Ni/Au/n-GaN 肖特基二极管可导位错的 电学模型 王翔 陈雷雷 曹艳荣 羊群思 朱培敏 杨国锋 王福学 闫大为 顾晓峰 1) (江南大学电子工程系, 物联网技术应用教育部工程研究中心, 无锡 214122) 2) (西安电子科技大学, 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071) ( 2018 年4 月21 日收到; 2018 年7 月2 日收到修改稿) 可导线性位错被普遍