现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学测量学和缺陷检查7成品率.PPTVIP

A A 台阶覆盖 硅片制造中形成表面形貌，因此取得好的台阶覆盖能力是材料的必要特征（见图）。良好的台阶覆盖要求有厚度均匀的材料覆盖于台阶的全部区域，包括侧墙和拐角。 一种高分辨率带触针的非破坏性形貌仪常用来测量台阶覆盖和硅片表面的其他特征。这种自动化表面测量仪器使用一根触针加以低至0.05mg的力接触硅片表面，轻轻地绘出硅膜形貌图而不损伤硅片表面（见图）。触针通常有半径0.1um的金刚石尖，永久了的针尖半径可达到12.5um。当前，形貌仪可以以7.5?的步长高度重复测量硅片上0.1um的细小特征。 套准精度 套准精度是用在光刻工艺之后，测量光刻机和光刻胶图形与硅片前面刻蚀图形的套刻的能力。随着特征尺寸的缩小，套刻标记的容差减小，掩膜板上的图形标记与硅片上的对准成为挑战。化学机械平坦化（CMP）的使用在硅片上产生了对比度很小的图像，这些图像难以分辩。这种情况使得硅片与掩膜板的对准更加复杂（见图）。 电容－电压（C－V）测试 MOS器件的可靠性高度依赖于栅结构中高质量的氧化薄层。栅氧化区域的沾污可能导致正常的阈值电压的漂移，导致器件失效。可动离子沾污（MIC）和其他不希望的电荷状况可以在氧化工艺步骤后用电容－电压测试进行检测。通常做C－V特性以检测氧化步骤之后的离子污染。另外，C－V特性测试提供了栅氧化层完整性的形（GOI），包括介质厚度、介电常数（k）、电极之间硅的