nSb红外器件性能仿真.PDFVIP

第４８卷　 第７期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ４８，Ｎｏ７ 　 ２０１８年７月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｌｙ，２０１８ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１８）０７０８７２０４ ·红外材料与器件 · ｎＢｎ型ＩｎＳｂ红外器件性能仿真 周　朋，刘　铭，邢伟荣 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：从能带结构方面分析了ＩｎＳｂｎＢｎ结构的势垒层，并使用ＳｅｎｔａｕｒｕｓＴＣＡＤ软件计算并 模拟了改进前后的器件ＩＶ性能，仿真结果表明，在势垒层靠近吸收层一侧加入渐变层可以有 效改进器件性能。之后模拟仿真了势垒层Ａｌ组分、厚度对器件性能的影响。最后根据仿真结 果选定结构参数进行实际分子束外延生长，并给出初步的器件结果。 关键词：ｎＢｎ；ＩｎＳｂ；能带；ＩＶ特性；ＳｅｎｔａｕｒｕｓＴＣＡＤ 中图分类号：ＴＮ２１４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１８．０７．０１３ ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆｎＢｎＩｎＳｂｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｖｉｃｅ ＺＨＯＵＰｅｎｇ，ＬＩＵＭｉｎｇ，ＸＩＮＧＷｅｉｒｏｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏＯｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｒｒｉｅｒｌａｙｅｒｏｆｎＢｎＩｎＳｂｉｓａｎａｌｙｚｅｄｆｒｏｍｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ，ＳｅｎｔａｕｒｕｓＴＣＡＤｉｓｕｓｅｄｔｏｃａｌｃｕｌａｔｅａｎｄｓｉｍｕｌａｔｅ ＩＶｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｎＢｎＩｎＳｂｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｖｉｃｅＴｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔ，ｔｈｅｇｒａｄｉｅｎｔｌａｙｅｒｉｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｎｅａｒｔｈｅ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎｌａｙｅｒｓｉｄｅｉｎｔｈｅｂａｒｒｉｅｒｌａｙｅｒ，ａｎｄｉｔｃａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅＡｎｄｔｈｅｎ，ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＡｌｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｔｈｅｂａｒｒｉｅｒｌａｙｅｒｏｎｔｈｅｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｒｅａｎａｌｙｚｅｄＡｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓ，ｓｅｌｅｃｔｅｄｓｔｒｕｃｔｕｒａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｒｅｕｓｅｄｔｏｇｒｏｗｎＢｎＩｎＳｂｂｙＭＢＥ，ａｎｄｔｈｅｔｅｓｔｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｏｆｔｈｅｄｅ ｖｉｃｅａｒｅｇｉｖｅｎ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｎＢｎ；ＩｎＳｂ；ｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ；ＩＶｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ＳｅｎｔａｕｒｕｓＴＣＡＤ １　引　言 垒区下，起到了类似于钝化的效果，器件表面漏电也 ｎＢｎ结构是一种单极势垒层探测器结构，其电极 大大降低。因此，相比于传统器件，其可以在更高的 层以及吸收层均为ｎ型材料，宽禁带的势垒层薄层嵌 工作温度达到相同的探测性能。 于电极层和吸收层之间，其能带示意图如图１所示。 势垒层Ｂ会阻挡电极层中的电子向吸收区扩散，但不 会阻挡吸收区的光生电子和空穴。在无光照时，器件 内电流很小；当施加光照时，在吸收区由于光激发产 生的电子空穴对分别在外加电场的抽取作用下运动， 到达电极形成电信号。与传统ｐｎ结结构器件不同， ｎＢｎ结构没有内建空间电荷区，其吸收层耗尽区宽度 大大降低甚至完全消除，可以有效降低ＳＲＨ暗电流、 直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流等结生暗电流，同