第4节 存储系统摘要.ppt

第4章 存储系统 存储系统的组织 随机读写存储器 只读存储器和闪速存储器 堆栈 高速缓冲存储器（Cache） 虚拟存储器 存储保护 计算机存储单位 它们之间的关系是： 位 bit (比特)(Binary Digits)：存放一位二进制数，即 0 或 1，最小的存储单位。 字节 byte：8个二进制位为一个字节(B)，最常用的单位。 　　1KB (Kilobyte 千字节)=1024B， 　　1MB(Megabyte 兆字节 简称“兆”)=1024KB， 　　1GB (Gigabyte 吉字节 又称“千兆”)=1024MB， 　　1TB(Trillionbyte 万亿字节 太字节)=1024GB，其中1024=2^10 ( 2 的10次方)， 　　1PB（Petabyte 千万亿字节 拍字节）=1024TB， 　　1EB（Exabyte 百亿亿字节 艾字节）=1024PB， 　　1ZB (Zettabyte 十万亿亿字节 泽字节)= 1024 EB, 　　1YB (Yottabyte 一亿亿亿字节 尧字节)= 1024 ZB, 　　1BB (Brontobyte 一千亿亿亿字节)= 1024 YB. 4-1 存储系统的组织 存储系统的层次结构 存储器的分类 4-1-1 存储系统的层次结构 4-1-2 存储器的分类 根据存储材料的性能及使用方法不同，存储器件有各种不同的分类法。 按存储介质分。作为存储介质的基本要求，必须有两个明显区别的物理状态，分别用来表示二进制的代码0和1。另一方面，存储器的存取速度又取决于这种物理状态的改变速度。目前使用的存储介质主要是半导体器件和磁性材料。用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器，如磁盘存储器和磁带存储器。 按存取方式分。如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取，而且存取时间和存储单元的物理位置无关，这种存储器称为随机存储器。半导体存储器是随机存储器。如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说存取时间和存储单元的物理位置有关，这种存储器称为顺序存储器。如磁带存储器就是顺序存储器，它的存取周期较长。磁盘存储器是半顺序存储器。 4-1-2 存储器的分类 按存储器的读写功能分。有些半导体存储器存储的内容是固定不变的，即只能读出而不能写入，因此这种半导体存储器称为只读存储器（ROM）。既能读出又能写入的半导体存储器。称为随机读写存储器（RAM）。 按信息的可保存性分。断电后信息立即消失的存储器，称为非永久记忆的存储器。断电后仍能保存信息的存储器，称为永久性记忆的存储器。磁性材料做成的存储器是永久性存储器，半导体读写存储器RAM是非永久性存储器。 按在计算机系统中的作用分。根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 4-2 随机读写存储器 静态存储器（SRAM） 动态存储器（DRAM） 主存储器的组织 高性能主存储器 4-2-1 静态存储器（SRAM） 基本存储单元 SRAM存储器的组成 SRAM存储器芯片实例 静态存储器 静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个双稳态电路存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。 1. 基本存储单元 我们将存储一位二进制信息（0或1）的电路单元，称为一个物理存储单元（与编址单元有别），在本节中就简称为存储单元。如图所示，是一种N沟道增强型MOS（金属－氧化物－半导体）静态存储器的存储单元的线路。它由六管组成。T1与T3是一个反相器，其中T3是负载管。T2和T4是另一个反相器，其中T4是负载管。两反相器是交叉耦合连接的，它们组成一个双稳态触发器。T5和T6是两个控制门管，由字线Z控制他们的通断。当字线加高电平时，T5和T6导通，通过一对位线W和W，使双稳态电路与读/写电路连接，可对其进行写入或读出。当字线为低电平时，T5和T6都断开，双稳态电路与位线W、 脱离，依靠自身的交叉反馈保持原状态（所存信息）不变。 定义：若T1导通而T2截止，存入信息为0。若T1截止而T2导通，存入信息为1。 1. 基本存储单元 2. SRAM存储器的组成 一个SRAM存储器由存储体、读写电路、地址译码电路和控制电路等组成，其框如图所示。 2. SRAM存储器的组成 2. SRAM存储器的组成 存储体 地址译码器 地址译码器有两种方式：一种是单译码方式，适用于小容量存储器；另一种是双译码方式，适用于大容量存储器。 驱动器 I/O电路 片选与读/写控制电路 输出