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基于毫米级单晶石墨烯的倍频器性能研究
高庆国 田猛串 李思超 李学飞 吴燕庆
Gigahertzfrequencydoublerbasedonmillimeter-scalesingle-crystal graphene
GaoQing-Guo TianMeng-Chuan LiSi-Chao LiXue-Fei WuYan-Qing
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,217305(2017) DOI: 10.7498/aps.66.217305
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.217305
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I21
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 21 (2017) 217305
专题: 与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究
基于毫米级单晶石墨烯的倍频器性能研究
高庆国 田猛串 李思超 李学飞 吴燕庆
1) (华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074)
2)(华中科技大学, 国家脉冲强磁场科学中心(筹), 武汉 430074)
( 2017 年8 月28 日收到; 2017 年10 月10 日收到修改稿)
石墨烯作为一种拥有高电子迁移率和高饱和速度的二维材料, 在射频电子学领域具有很大的应用潜力,
引起了人们广泛的研究兴趣. 近些年随着化学气相沉积制备石墨烯技术的发展, 高质量大尺寸的单晶石墨烯
生长技术也愈加成熟. 本文基于化学气相沉积生长的毫米级单晶石墨烯, 在高介电常数介质上制备出高性能
的石墨烯倍频器, 并且对其倍频特性做了系统的研究. 研究结果表明: 在输入信号频率为1 GHz 时, 倍频增益
可以达到 dB, 频谱纯度可以达到94%. 研究了不同漏极偏压以及输入信号功率下倍频增益的变化特
性, 随着漏极偏压以及输入信号功率的增加, 倍频增益增加. 对具有不同跨导和电子空穴电导对称性的器件
的倍频增益和频谱纯度随输入信号频率in 的变化关系进行了研究. 结果表明, 跨导对于倍频增益影响显著,
在in GHz 时器件的频谱纯度差别不大, 均大于90%, 但是随着in 增加至4 GHz, 电子空穴电导对称性
较差的器件频谱纯度下降至42%, 电子空穴电导对称性较好的器件仍能保持85% 的
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