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第4章 半导体激光器 4.1 半导体的能带结构和电子状态 4.2 激发与复合辐射 4.3 激光振荡条件 4.4 异质结半导体激光器 4.5 半导体激光器的波长和线宽 4.6 半导体激光器当前发展趋势 4.7 半导体激光的应用 特点 超小型、重量轻 效率高 发射的激光波长范围宽 使用寿命长 输出功率高 应用 光纤通信的光源 光盘、激光高速印刷术 全息照相、文字记录、数码显示 办公自动化 激光准直、激光防盗 激光医学、激光生物学 光信息处理、光存储、光学计算机 4.1 半导体的能带结构和电子状态 4.1.1 能带概念的引入 ①电子共有化运动和能带 由于电子的共有化运动，与轨道相应的能级分裂成很多个非常靠近的能级，构成能带 如果晶体由N个原子组成，那么在每条能带中共有N个能级 不同能带之间有一定间隔，在这个间隔范围内电子不能处于稳定能态，形成一个禁区，称为禁带 价带 由价电子能级分裂而成的能带 满带 被电子填满的价带 空带 价带以上的能带在未被激发的正常情况下，往往没有电子填入 导带 如有电子因某种因素受激进入空带，则这些空带又叫做导带 半导体能带略图 4.1.2 半导体中的电子状态 用量子力学确定孤立原子的电子能量和运动状态 单个电子的薛定鄂方程 考虑一维情形 设势场的周期为晶格常数a，即 设 能量本征值为 而 在Ｋ足够小的范围内，将ＥＫ展开为麦克劳林级数得 在k=0附近，Ｅ（Ｋ）仍按抛物线规律随Ｋ变化 当meff0,开口向上，相应的能带称为导带 当meff＜0,开口向下，相应的能带称为价带 直接禁带: 直接禁带半导体(导带底和价带顶在K空间同一点) 间接禁带: 间接禁带半导体(导带底和价带顶不在K空间同一点) 4.2 激发与复合辐射 4.2.1　直接跃迁和半导体激光材料 吸收或发射:电子在不同状态之间跃迁 纯净半导体:本征吸收 能引起本征吸收的光子能量必须大于某一阈值,大体等于禁带宽度 发射:从导带跃迁到价带,与空穴进行复合,发射一个光子.(复合辐射) 电子在跃迁过程中满足动量守恒, 则纯光跃迁过程满足选择定则 直接跃迁:跃迁发生在K空间同一点 在直接跃迁中,辐射光子满足 跃迁发生在波失相差较大的两态之间,有声子参加过程 间接跃迁 目前广泛应用的半导体材料主要有 （1）硅（Si）、锗（Ge）等Ⅳ族半导体材料，属于间接带隙材料，不能用来制作半导体激光器，主要用于集成电路和光电检测器的制作。 （2）碲化镉（GdTe）、碲化锌（ZnTe）等Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于可见光和红外光电子器件的制作。 （3）砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、砷磷化铟镓（InGaAsP）等绝大多数的Ⅲ～Ⅳ族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于集成电路和光纤通信用半导体发光二极管、激光器、光电检测器的制作。 4.2.2 态密度和电子的激发 电子占据能级的概率遵循费密－狄拉克统计规律：在热平衡状态下，电子占据能量为E的能级的概率为 EF是表征电子在各个能级分布情况的参数，并不表示电子可以实际占据的能级 EF表示电子填充概率为50％的一个能级 费密能级之上,距离越远,被电子占据的几率越小,被空穴占据的几率越大; 费密能级之下,情况相反 对于半导体中的空穴，相应占据能量为E的能级的概率为 当E-EF kT时，费密函数可简化为 在本征半导体中 导带能级被电子占据的几率 被空穴占据的几率为 价带能级被电子占据的几率为 被空穴占据的几率为 当T=0K时, 而 在温度为0K时,本征半导体中的电子全部集中在价带,而导带中几乎没有电子. 当T0K时,KT只有10-2ev的量级，仍假设 于是 导带中只有很少量电子，服从Boltzman分布，集中在相对靠近　　的导带底部 而 价带基本被电子占满,只有少量空穴,集中在相对靠近 的价带顶部 当材料受到激发时,将有一部分电子从价带跃迁到导带 (部分动能较高的电子从价带中较低的部位跃迁到导带形成的) 费密能级的位置与半导体类型有关 4.3 激光振荡条件 １.半导体中的光增益 受激发射过程对入射光的增益为正，且与导带被电子占据的几率及价带被空穴占据的几率成正比 受激吸收过程对入射光的增益为负 而 受激发射和受激吸收对光作用的总效果 净增益的条件为 导带能级被电子占据的几率大于价带能级被电子占据的几率 反转分布 反转分布状态属于非平衡态 导带准费密能级 价带准费密能级 于是 即 由此得反转分布条件 在非平衡状态下,准费密能级不在位于禁带内,而分别进入导带和价带内 使PN结实现粒子数反转分布,需满足两个条件: 1.掺杂浓度足够高