掺杂半导体中载流子浓度的数值计算毕业设计论文（可编辑）.docVIP

掺杂半导体中载流子浓度的数值计算毕业设计论文 论文作者签名: 日期:年 月 日 毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明 原创性声明 本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得 及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体,均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。 作 者 签 名: 日 期: 指导教师签名: 日 期: 使用授权说明 本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定,即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本;学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。 作者签名: 日 期: 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名: 日期:年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名: 日期:年 月 日 导师签名:日期:年 月 日 摘 要 从上世纪末和本世纪初开始,有机半导体材料研究引起了业界的广泛重视,使有机半导体器件的实验室制作水平得到大幅提高,并逐步进入当前的商品发展阶段。本文概述了有机半导体的发展历程、各种器件结构与特性及其技术现状。本课题基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道HOMO的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型。利用电中性条件,结合电子和空穴浓度计算式,推导出了当施主和受主同时存在时,费米能级的计算式,利用Matlab编程,计算费米能级EF的大小和平衡状态下的载流子的浓度。并基于此将所求得的费米能级EF带回原方程,分析研究了特定物理条件,如温度、掺杂浓度、有机材料禁带宽度等对载流子浓度的影响。 关键字:有机半导体;掺杂;Matlab绘图;费米能级EF;载流子浓度 ABSTRACT Since the late 1990s and early 2000s, the research of organic semiconductor materials has attracted great attention in related fields, which dramaticly improved the fabrication level of organic semiconductor devices in laboratory environments. Currently, the field of organic semiconductor devices is entering commercial phase. An overview about the history, structures and properties, the present status of organic semiconductor devices is presented.A theory for carrier concentration in physically doped organic semiconductors has been presented based on Gaussian energy distribution of the lowest unoccupied molecular orbitals LUMO and the highest occupied molecular orbitals HOMO as well as the