利用喷洒及加热分解技术.pptxVIP

OutlineIntroductionExperimentalResults and discussionConclusionReferencesIntroduction 利用噴灑及加熱分解技術，在GaN LED沉積一層P-ZnO奈米層，分別沉積上一層ZnO奈米層和經氫氣（H2）處理，分別處理時間不同的ZnO奈米層，比較其發光效率和其光學特性。無經H2處理的結構圖經過H2處理的結構圖Experimental沉積的ZnO經H2處理（7.89nm）沉積的ZnO經H2處理20min（15.81nm）Results and discussion光穿透率比較IV圖外部量子效率光輸出量注入電流之光輸出量與外部量子效率比較Conclusion在GaN-based GaN LED ，沉積不同粗糙化程度的ZnO和H2 處理，可以有效的改善發光效率。ReferencesGaN-based light-emitting diode with ZnO nanotexture layer prepared using hydrogen gas.