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降低真空灭弧室回路电阻有效方法 　　【摘 要】 随着真空开关、尤其是真空断路器的额定电流越做越大，及真空开关的小型化，减小真空灭弧室的回路电阻显得越来越重要，本文通过对真空灭弧室的回路电阻的分析，对真空灭弧室导电回路的固有电阻和触头之间的接触电阻提出了降低措施，并在实际应用中取得实效。 　　【关键词】 真空灭弧室 R触头 回路电阻 固有电阻 接触电阻 　　真空开关、尤其是真空断路器的回路电阻是一项重要的技术参数，回路电阻对真空断路器在长期工作下的温升有着直接影响。据统计，真空断路器在运行中出现的事故约有1／3左右是绝缘事故，而绝缘事故又主要由绝缘件的绝缘能力下降引起。绝缘件的绝缘能力的劣化又与其长期在较高温度下工作有很大关系。因此，如何降低真空断路器在长期工作下的温升，保证其运行可靠性已越来越受到人们的重视。 　　本文主要阐述真空灭弧室的回路电阻的产生及构成，影响回路电阻的因素，和减小回路电阻方法等。 　　 　　1 真空灭弧室的回路电阻 　　 　　真空灭弧室的回路电阻，通常占真空断路器回路电阻的40％～60％。表1是部分真空断路器的回路电阻。真空灭弧室是真空断路器长期工作时的主要发热源。真空灭弧室的触头接触电阻是真空灭弧室回路电阻的主要组成部分。而触头系统密封在真空内，所产生热量绝大部分由灭弧室动静导电杆导出，通过外部散热装置散掉。因此，降低真空灭弧室的回路电阻是减少真空断路器温升的重要课题。 　　真空灭弧室的回路电阻可有下面公式表示 　　1．1 收缩电阻 　　接触元件，无论加工多么精致，从微观上看其表面总是凸凹不平的。因此，当两个接触元件彼此接触时，其表面不可能完整地接触。真正接触的是个别区域，其他区域并没有直接接触。即实际接触面积要比“视在”的接触面积小。在真正接触的区域中，一些是金属对金属的接触，称为“金属接触”；另一些是靠覆盖在接触处的单分子薄膜通过孔道效应和穿透薄膜的金属桥导电的，称为“半导体”接触或“膜”接触；还有一些接触点覆盖着完全不导电的绝缘膜，如氧化膜和硫化膜，不能导电，可称为“绝缘接触”。剩下的其它点因为表面不平，完全没有接触，不导电，可称为“非接触点”。 　　我们想象电流象磁力线一样也有电流线。当电流流过“金属接触”点时，由于电流象水一样通过筛孔时受到收缩而产生阻力，这种阻力称为收缩电阻。 　　 　　1．2 膜电阻 　　接触元件表面因污染、化学腐蚀等原因而形成的一层导电性很差的物质(包含尘埃膜、吸附膜、无机膜、有机膜等)，由此而形成的接触电阻称为膜电阻。在真空灭弧室中，由于触头在装配前进行清洗处理，表面导电性能很好，以后在真空中其表面不会受到污染和化学腐蚀等破坏，因此膜电阻几乎可以不考虑。 　　动、静触头之间的接触电阻Rj由有下面经验公式表示式中kj――与接触材料，表面情况，接触方式有关的系数： F――触头压力； m――与接触型式有关的系数。 　　由上分析，我们可以从以下方面来改善真空灭弧室的回路电阻： 　　(1)电阻率：接触电阻与接触材料的电阻率有密切关系，相同条件下电阻率高的材料其接触电阻也高。 　　(2)硬度：接触电阻与材料的硬度有关，同一种材料，硬度高的触点比硬度低的触点接触电阻高。 　　(3)接触面积：接触电阻随接触面积的增加而减小。 　　(4)几何形状：触点的几何形状、尺寸大小和表面光洁度也会影响触点的接触电阻。在一定的接触压力下，接触点的曲率半径越大，接触电阻越小。触点越光洁，接触电阻越小。 　　(5)接触电流和通过电流的时间：在一定的接触负荷下，通过触点的电流增加时，接触电阻逐渐下降并趋于稳定。随着接触时间的延长，接触电阻下降并趋于稳定。 　　(6)其他因素：主导电回路的合理设计，尽可能缩短回路长度和减少连接焊接点。 　　 　　2 京东方真空灭弧室降低回路电阻的主要方法 　　 　　目前，国内外厂家的真空灭弧室大多采用杯状纵磁触头，下面介绍的降低真空灭弧室的方法主要与这种灭弧室进行比较。 　　 　　2．1 减小导电回路导体的固有电阻 　　(1)减短导电回路的导电路径 　　京东方牌真空灭弧室采用R触头系统。图1为使用R触头及杯状触头的真空灭弧室导电回路的导电路径示意图。使用R触头和杯状触头的真空灭弧室在通过短路电流时均能在触头间隙产生很强的纵磁场。R触头是利用特殊形状的软磁材料，使磁力线按规定的路线闭合成磁力回路，在垂直于触头的分断面上产生纵向的磁力线：杯状触头是利用改变电流的流向，使电流的流向中有横向电流，该电流产生垂直于触头的分断面上纵向的磁力线。由此可见，R触头中电流以最短的路径通过触头；而杯状触头为了产生纵向磁场电流必须横向绕行，因此电流路线加长，导体电阻加大。 　　 　　其它型式的触头，如线圈结构的触头、杯状横磁触头