厚膜导体材料.pptxVIP

4.2.1 厚膜导体材料;两大类:贵金属和贱金属。 对于厚膜导体金属的要求主要有以下几点： 1) 电导率高,TCR小； 2) 与玻璃不发生反应，不向厚膜介电体及厚膜电阻体中扩散； 3) 与介电体及电阻体的相容性好； 4) 不发生迁移现象； 5) 可以焊接及引线键合 6) 不发生焊接浸蚀； 7) 耐热循环； 8) 资源丰富，价格便宜。;选用导体时，通常要进行下述试验: 1) 测定电阻值(按需要有时也包括TCR) 2) 浸润性。测量导体膜上焊料液滴的展宽直径。 3) 耐焊料浸蚀性。将导体膜反复浸入焊料液体中，测量到明显发生浸蚀的浸入次数。 4) 迁移性。在导体图形间滴上水滴，并施加一定的电压，测量达到短路经过的时间。 5) 结合强度。在导体膜上焊接引线，沿垂直于膜面方向拉伸，测量拉断时的强度，确定破断位置，分析断面形貌结构等。 6) 热老化后的强度。焊接后，在150摄氏度下放置48小时，测量导线的结合强度等。 ;下面介绍几种能较好满足上述要求的常用厚膜导体材料： a) Ag Ag浆料的最大优点是电导率高。 焊接后的Ag厚膜导体，随时间加长及温度上升，其与基板的附着强度下降。这是由于Ag与玻璃层间形成Ag-O键，以及与焊料扩散成分生成 所致。为了防止或减少 的发生，或者使Ag膜加厚，或者在Ag上电镀Ni. Ag的最大缺点是易化学迁移。这是由于Ag与基板表面吸附的水分相互作用，生成 AgOH，它不稳定，容易被氧化而析出Ag,从而引起Ag的迁移。为了抑制，一般要在浆料中添加pd或pt.;b) Ag-Pd 在Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)0.1左右时，即可较好的抑制Ag的迁移。但当Pd的添加量较多时，会发生氧化生成PdO，不仅使导体焊接性能变差，而且造成电阻的增加。 因此，Ag/Pd比一般控制在(2.5:1)~(4:1).最近，通过粒度控制，采用球形Ag颗粒，防止其凝聚等，使膜的导电性提高，由此开发出Ag/Pd为(5:1)~(10:1)的制品。 ;为提高Ag-Pd导体的焊接浸润性，以及导体与基板间的结合强度，需要添加 。在烧成过程中，部分 溶入玻璃中，在使玻璃的相对成分增加的同时，它与 基板发生如下反应： 使膜的结合强度得到增大。 ;焊接时要对膜加热，加热时间增加，金属颗粒与玻璃成分之间分散的 ，会由于焊料的主要成分Sn向导体内部扩散，而发生还原反应： 从而使膜的结合强度下降。故最近开发了许多不含Bi而采用其他玻璃粘结剂的Pd-Ag浆料，特别是适用于 AlN陶瓷基片的浆料。;c) Cu 与贵金属相比，Cu具有很高的电导率，可焊接，耐迁移性，耐焊料浸蚀性都好，而且价格便宜。 Cu在大气中烧结会氧化，需要在氮气气氛中烧结。 在多层工艺中与介电体共烧时容易出现分层现象和微孔，由于烧结时缺氧，有机粘结剂等不能完全燃烧和排除，与分层一起造成绝缘性能的下降。 Cu与 基片的界面处易生成 （偏铝酸铜）,影响膜与基片的结合强度和膜的导电性能。;d) Au 在金浆料中按膜与基片的结合方式分为玻璃粘结剂型、无玻璃粘结剂型、混合结合型三种。 将Au与玻璃粉末分散于有机溶剂中形成玻璃粘结剂型浆料，在烧结时玻璃易浮到膜层表面，对导电性及引线键合等都有影响。 代替玻璃而加入 等，与基板反应，生成 （铝酸铜、铝酸镉）等化合物，成为导体膜与基板之间的界面。这种化合物和基板之间形成化学结合的形式，属于不用玻璃粘结剂的浆料，但生成化合物温度高是难点。 因此，出现了加入玻璃及 等富于流动性的物质，使烧结温度降低的混合结合型浆料。;4.2.3厚膜浆料的组成与特性 ;所有的厚膜浆料都有两个共同的一般特征： 1.它们都是符合非牛顿流变学的粘性流体，适合丝网印刷。 牛顿流体：牛顿流体定律中的比例系数即粘度是一个不变的常数的这类流体。研究对象是水或气体等小分子流体 非牛顿流体：粘度不再是一个不变的常数。油漆和涂料 剪切变稀流体：非牛顿流体当有外力作用时粘度变得很小，没有外力时又变得很大，具有这种流变性能的流体称为“剪切变稀流体”。 ;2.厚膜浆料都由两类不同的多组份相组成，一类相用于实现厚膜的电学和机械特性，一类载体相提供适当的流变性。 常规的厚膜浆料有四个主要成分： a. 形成膜功能的有效成分。 b. 提供基板与保持活性粒子悬浮状态的结合料之间粘结的粘结相 c. 提供合适的流体特性以适用于丝网印刷的有机粘合剂 d. 调节载体相粘性的溶剂或稀释剂 ;a. 有效成分 浆料中的有效成分决