锆铁铌酸锂晶体生长及其光谱性能研究（毕业学术论文设计）.docVIP

哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 - PAGE II - 锆铁铌酸锂晶体生长及其光谱性能研究 摘要 本论文中采用提拉法生长了一系列Zr:Fe:LiNbO3晶体，研究了晶体的生长工艺、结构及光谱性能。 在晶体生长部分中，对晶体生长的工艺参数进行了探索与优化，确定了合理的生长工艺，生长出了质量较好的晶体，并对生长出的晶体进行了极化、切割、抛光等处理。 Fe:LiNbO3晶体由于具有较高的衍射效率和灵敏度而成为最重要的全息存储材料之一。然而， Fe:LiNbO3晶体仍然存在两点不足之处，即响应时间长和抗光散射能力低。所以，需要寻找一种响应速度和抗光散射能力优于Fe:LiNbO3晶体的全息存储材料。我们采用提拉法生长了熔体中[Li]/[Nb]比分别为0.85、1.05和1.38的Zr:Fe:LiNbO3晶体。 X射线衍射测试表明，Zr离子进入晶体后，首先取代反位铌()离子，占据Li位形成 缺陷。对样品的紫外-可见吸收光谱测试结果表明，随着[Li]/[Nb]比增加，吸收边逐渐紫移。在室温下对样品的红外光谱进行了测试，从样品的红外光谱测试结果可以看出，随着[Li]/[Nb]比增加，OH-吸收峰的位置没有发生较大的移动，但吸收峰的强度逐渐减小。 研究结果表明，Zr是一种有效提高Fe:LiNbO3晶体抗光散射性能的掺杂离子。Zr:Fe:LiNbO3晶体是一种较好的体全息存储材料。 关键词　铌酸锂