功率器件扩展应用领域的宽带隙半导体发展.PDF

Technical Review Vol.4 功率器件扩展应用领域的宽带隙 半导体发展 宽带隙半导体包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），鉴于它们具有卓越的特性，即能 提供更高的能量效率，所以目前人们都非常希望将其应用于下一代功率器件中。 在改进碳化硅功率器件性能的关键技术研究中，东芝电子元件及存储装置株式会社始终 致力于降低晶片厚度和单元器件的小型化，并且不断推出了各种各样的碳化硅功率器件。例 如，将碳化硅混合模块应用于机车车辆的牵引变频器上，有助于减小此类变频器的尺寸和重 量。我们还在开发能够执行高速开关操作的GaN功率器件，包括准常断GaN高电子迁移率晶 体管（HEMT）和GaN金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 1.简介 近几十年来，由于硅（Si）制造成的功率半导体性能的提高，功率器件实现了高效率。然而，硅功率器 件正在接近其理论性能极限，所以我们寄希望于宽带隙半导体能够突破这些极限。 2013年，东芝电子元件及存储装置株式会社开发出了由宽带隙半导体碳化硅（SiC）制成的肖特基二极管 （SBD）。2014年，我们宣布推出一款SiC混合模块，该器件将硅注入增强栅极晶体管（IEGT）和SiC SBD 集成组装在同一个封装中。开发出碳化硅混合模块并将其应用于电气铁路的变频器，我们便提高了功率转换 效率并节省了空间 （1） 。另一种很有前景的宽带隙半导体是“氮化镓（GaN）”，它在高速开关性能方面也很 有优势，为寻找更为有效的解决方案和实现电源设备的小型化开辟了道路。 本文中，我们将介绍这两种新型半导体材料的最新进展及其未来发展趋势。 2.碳化硅器件适用领域的扩展 不同于硅器件，碳化硅器件可以同时实现高击穿电压和低能耗。但是这种材料价格昂贵，加工难度大， 且需要最大限度地减少晶体中的缺陷，这也构成了一个极大挑战，另外其制造方法与传统的硅制造方法有很 大的不同。这些问题都妨碍了碳化硅的广泛应用。 2.1碳化硅分立器件产品 近年来，单芯片封装的分立器件产品发展取得了令人瞩目的成就。随着晶片质量的提高和晶片直径的增 Copyright © 2018 TOSHIBA CORPORATION, All Rights Reserved. Technical Review Vol.4 加，这些器件不仅被用于小型工业设备（例如：用于信息和通信设备的电源、电动车辆（EV）充电站、太阳 能逆变器、商用空调），而且还用于高端消费类产品（例如：有机电致发光电视、视听放大器）。 下面将介绍我公司基于SiC的分立SBD和MOSFET产品的功能特点。 2.1.1 SiC SBD分立器件产品 图1是我们当前产品的封装举例。这些产品的击穿电压为650V或1,200V，额定电流可选择范围是2A至 24A。它们应用于交流电源的功率因数校正（PFC）电路。 图2是采用SiC SBD的PFC电路，以及电路图和示例波形。在PFC电路中，D1（SiC SBD）的导通将由开 关器件Q1进行控制。Q1的能量损耗受到D1特性的影响。当Q1导通时，短路电流根据总电荷QC进行流动，而 总电荷Q 则由D1的结电容Cj和反向电压V 确定。该短路电流增加了Q1的导通损耗，所以Q 越小，导通损耗 C R C 就越小。 另一方面，D1的损耗也归因于Q 充电/放电以及正向电压V 的损耗。使用相同的设计规则，我们对Q 和 C F C V 进行了平衡，因为效率性能指标（V ·Q ）越小，效率越高，损耗越小。 F