2.5 具有无关项的逻辑函数及其化简.pptVIP

例3： 课堂练习： 题2.29：（2）、（4） 题2.37：（2）、（3） 第三章 逻辑门 3. N沟道耗尽型和P沟道耗尽型 3.2 CMOS门电路 3.2.1 CMOS反相器和传输门 1. CMOS反相器 (1) 电路结构 (2) 开关等效电路 设定：VDD=+5V，VIH=5V，VIL=0V，且VDD|VTN|+|VTP| (3) 电压、电流传输特性 开关状态由加在P和N的控制信号决定；P与N是一对互补信号 当P=0V，N=VDD时，两个MOS管均导通，A-B接通。 当P=VDD，N=0V时，两个MOS管均截止，A-B断开。 3.2.2 CMOS与非门、或非门和异或门 由反相器、传输门、与非门、或非门可以组成其他逻辑功能的门电路和更复杂的逻辑电路。 为了使不同逻辑功能器件的所有输入端和输出端具有统一的输入特性和输出特性，通常在集成电路芯片的每个输入和输出端内部都接有标准参数的反相器。 * 2.5 具有无关项的逻辑函数及其化简 在输入变量的某些取值下，输出是1、是0均可，是任意的。在这些输入变量下取值为1的最小项叫做这个函数的任意项 任意项 约束项 输入变量的某些取值在工作过程中始终不会出现，我们把这些输入变量取值下等于1的最小项称为约束项 无关项 处理方法： 填卡诺图时，无关项用“×”表示。在化简逻辑函数时既可认为它是“1”也可认为它是“0”； 化简时一定要将“×”与“1”圈在一起，以简化函数为前提。 “无关”的意思是说明是否将它们加到函数式中无关紧要。将来在化简逻辑函数时，可视需要决定取舍。 例1：已知函数： 求其最简与或式。 解： ? 填函数的卡诺图 ? 化简 F(A,B,C,D)=∑m(0,2,3,4,6,8,10)+∑d(11,12,14,15) 2. 具有无关项的逻辑函数化简 无关项 Y AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 1 1 1 ? ? ? ? ? ? Y = A+BD+BC 1 x 0 0 10 x x x x 11 0 x 1 0 01 0 x 0 1 00 10 11 01 00 AB CD 例4: 要求设计一个逻辑电路，能够判断一位十进制数是奇数还是偶数，当十进制数为奇数时，电路输出为1，当十进制数为偶数时，电路输出为0。 ? 1111 ? 1110 ? 1101 ? 1100 ? 1011 ? 1010 1 1001 0 1000 1 0111 0 0110 1 0101 0 0100 1 0011 0 0010 1 0001 0 0000 L ABCD 解:采用8421BCD码 (2)画出卡诺图 (3) 卡诺图化简 (1)列出真值表 题2.29： （2）Y2=B′D′+CD′+ABC′D （4）Y4=C′D+BC 题2.37： （2）Y2=C′D+A′D （3）Y3=BC′+B′C+A′B′D Y3=BC′+B′C+A′C′D 教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能及其应用。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 (2) 加上足够高的+VIH，且VT, D-S间形成N型导电沟道，MOS 管导通， RON几百Ω，相当于开关接通 开启电压为正值 D-S间相当于是一个受G控制的开关 3.1 MOS管的开关特性 1. N沟道增强型MOS管的开关状态 (1) VIL=0时，D-S间不导通，MOS管截止，ROFF106Ω，相当于开关断开 2. P沟道增强型MOS管的开关状态 (1) VIH=VDD时， VGS=0，S-D间不导通，MOS管截止，相当于开关断开 (2) VIL=0时，VGS=－VDD，且VDD|VT|，S-D间形成P型导电沟道，MOS管导通 ，相当于开关接通 S-D之间也构成一个受G控制的开关 注意：开启电压为负值 耗尽型MOS管在VGS=0时就已经有导电沟道存在 夹断电压Vp：N沟道为负值、P沟道为正值。 输入端：低电平有效 当VIH=VDD时，T2的VGS=0，T2截止；T1的VGS=VDD，T1导通；故VOL=0 。 当VIL=0时，T1的VGS=0，T1截止；T2的VGS= -VDD，T2导通；故VOH=VDD 。 无论输入是高电平还是低电平，T1和T2当中总有一个处于导通状态而另一个处于截止状态，因此称这种电路结构叫互补输出结构