电力电子技术 Power Electronic Technology 第二讲 电力电子器件及其驱动电路.ppt

2.5.4 MCT的主要参数 MCT是非反向阻断器件，反向峰值电流VRRM很低（大约5V左右，MCT35P60F1），但是使用时还需反并联二极管。 阴极非重复峰值电流ITSM是通态脉宽下所允许的流过器件的最大电流限制允许峰值电流和脉宽的是结温。 当MCT门极通过换向信号时额定关断的最大阴极电流称器件的峰值可控制电流ITC。 美国Harris公司生产的型号为MCT35P60F1的MCT的主要参数见表2－1所示。 2.5.4 MCT的主要参数 表2－1 MCTG35P60F1的 最大额定值 2.5.5 MCT的门极驱动 MCT具有MOS门极，因而门极驱动比较容易实现。门极电容的典型值为10nF，在开关动作期间基本上没有miller效应（对MOSFET或IGBT的栅极和漏极或集电极之间的结电容称miller电容，从而使得栅极驱动电压波形上升沿有一小段平台，这就称作miller效应）的电容电流，门极的驱动要求进一步简化。 返回 2.5.5 MCT的门极驱动 门极驱动波形 MCT的额定性能对门极驱动波形在幅值和上升时间两方面都有一定的要求。图2－24给出了MCT门极驱动波形的边界极限。在MCT开通或关断的门极脉冲期间，门极波形应处于稳态极限之内。在门极波形变换过程中，门极波形应处于阴影线所示范围之内。 2.5.5 MCT的门极驱动 图2－24 推荐的MCT门极电压驱动波形 关断 导通 时间（us） 稳态MCT导通 稳态MCT关断 门－阳极电压（V） －25 10 5 －5 －10 －15 －20 15 20 25 0 1 2 2 1 0 2.5.5 MCT的门极驱动 负电压幅值 在MCT的门极上施加相对于阳极为负值的门极电压时，MCT开通。由于MCT内部的输出极为晶闸管，一旦阴极电流超过器件的维持电流（毫安级），器件将完全进入通态。－7V的稳态开通极限电压将保证MCT开通，但最高不能低于－20V。 电压的负转换过程 MCT与其它MOS门极器件相比，它的门极不能控制开关时间。允许门极电压在负转换过程中有过冲，但幅值不能低于－25V，维持时间不超过1．8us。 2.5.5 MCT的门极驱动 正电压幅值 在MCT的门极上施加相对于阳极为正值的门极电压时，MCT关断或维持断态。7V的稳态关断极限电压将保证MCT维持断态，但最高不能超过20V。在关断过程中，要求门极电压大于18V，持续时间大于1．5us，但最高电压不能超过25V。 电压的正转换过程 MCT是通过内部MOSFET短路PNP晶体管的基射结实现关断的。为了实现最大关断容量，短路的FET必须均匀而快速地开通，以保证MCT关断相同的电流。因此，门极电压正转换时间不能超过200ns，允许门极电压有一定地过冲，但必须大于18V小于25V。 2.5.5 MCT的门极驱动 MCT门极驱动电压波形的边界极限总结： 由于MCT内部MOSFET地高温直流阻断能力，限定了＋20V和－20V地直流电压极限。 持续1．5us的最小为＋18V的电压使电流流过内部OFF－FET时，其阻抗很小，从而保证额定的关断容量。 MCT关断时最小为＋7V的电压是OFF－FET阀值电压的2～3倍，保证了器件不会因dv/dt或漏电流而开通。 200ns的上升和下降时间保证了所有单胞像一个整体，否则性能会下降。 ?25V瞬态峰值电压取决于器件的重复瞬态击穿电压，典型值至少为40V。 －7V的最小值是MCT内部ON－FET阀值电压的2～3倍，能保证良好的开通。 2.5.5 MCT的门极驱动 门极驱动对关断电流的影响 在MCT完全关断之前，门极电压必须达到并维持推荐值，如果降低正的最小稳态门极电压，则MCT的关断能力下降。 如果增大正的门极电压转换时间，则MCT的关断能力下降。 门极驱动条件与可关断电流之间的关系如图2－25所示。 2.4.2 IGBT的结构和工作原理 IGBT的结构（显示图） 图2－15（a）—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT（N-IGBT） ??IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1 ——使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管 ??RN为晶体管基区内的调制电阻 2.4.2 IGBT的结构和工作原理 IGBT的原理 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道