第09章-场效应晶体管课件.pptx

第九章场效应晶体管白雪飞中国科学技术大学电子科学与技术系提纲MOS晶体管MOS晶体管的匹配浮栅晶体管JFET晶体管MOS晶体管MOS晶体管的类型(A) 增强型NMOS (B) 增强型PMOS(C) 耗尽型NMOS (D) 耗尽型PMOSMOS晶体管建模?阈值电压?寄生参数N阱CMOS工艺NMOS晶体管的简化寄生模型寄生参数N阱CMOS工艺PMOS晶体管的简化寄生模型击穿机制击穿机制雪崩击穿穿通击穿介质击穿热载流子诱发阈值电压偏移短沟道NMOS晶体管的击穿效应穿通击穿（0.4um工艺器件）和雪崩击穿（0.6um和0.8um工艺器件）闩锁效应当源/漏扩散区相对背栅正偏时，会向邻近器件的反偏结注入少子相邻的NMOS和PMOS晶体管相互交换少子会引发CMOS闩锁效应少子保护环可以防止闩锁效应具有收集空穴保护环的PMOS； (B) 具有收集电子保护环的NMOS漏电机制?构造CMOS晶体管简单的自对准多晶硅栅NMOS晶体管的版图和剖面图MOS晶体管版图 (A) 利用NSD、PSD和沟槽掩模层 (B) 利用NMoat和PMoat编码层MOS管的宽度和长度?N阱和P阱工艺(A) N阱；(B) P阱；(C) 双阱沟道终止注入采用硼和磷实现沟道终止注入的N阱CMOS晶圆阈值调整注入天然(Native)晶体管天然的阈值电压取决于栅和背栅的掺杂及栅氧化层的厚度电流设计者也可以使用天然晶体管经过调整的晶体管通过对沟道区的注入可以改变MOS晶体管的阈值电压P型注入使阈值电压正向移动N型注入使阈值电压负向移动天然(Native)晶体管版图(A) 天然NMOS；(B) 天然PMOS双掺杂多晶硅CMOS晶体管双掺杂多晶硅CMOS晶体管的剖面图按比例缩小晶体管恒定电压按比例缩小保持晶体管工作电压不变的前提下缩小其尺寸恒定电场按比例缩小降低电源电压使晶体管中的电场在尺寸缩小的情况下保持恒定大多数现代工艺都使用某种形式的恒定电场按比例缩小光学收缩、选择性栅极尺寸收缩按比例缩小晶体管改善性能，寄生电容变小，开关速度变快，翻转功耗降低应用于数字逻辑电路可得到预期效果应用于模拟电路或混合信号电路则必须对电路性能重新评估按比例缩小晶体管(A) 比例100%；(B)光学收缩至80%(C) 有选择的将绘制栅长收缩至80%分段晶体管?合并晶体管合并晶体管M1和M2共用一个源极合并晶体管实例二输入与非门(A) 原理图；(B) 版图折叠晶体管?环形晶体管环形晶体管：(A) 方形；(B) 圆形环形结构可以降低漏区电容与沟道宽度之比，提高开关速度背栅接触背栅接触与保护环结合用于防止闩锁效应NMOS背栅须低于或等于源极电位；PMOS背栅须高于或等于源极电位(A) 邻接的背栅接触孔：源极和背栅在同一电位(B) 分离的背栅接触孔：源极和背栅在不同电位背栅接触(A) 叉指状背栅接触孔(B) 分布式背栅接触孔扩展电压晶体管?LDD和DDD晶体管(A) 轻掺杂漏区(LDD)晶体管(B) 双扩散漏区(DDD)晶体管扩展漏区NMOS晶体管(A) 非对称扩展漏区结构；(B) 对称扩展漏区结构扩展漏区PMOS晶体管(A) 非对称扩展漏区结构；(B) 对称扩展漏区结构多栅氧化层(A-B-C) 分阶段氧化技术；(D-E-F) 刻蚀再生长技术多栅氧化层版图(A) 薄氧化层晶体管；(B) 厚氧化层晶体管功率MOS晶体管?MOS安全工作区?功率MOS晶体管版图矩形功率晶体管金属连线版图，箭头表示电流方向MOS晶体管的匹配匹配MOS晶体管匹配MOS晶体管有些电路利用栅源电压匹配，如差分对有些电路利用漏极电流匹配，如电流镜优化电压匹配和优化电流匹配所需的偏置条件不同可以优化MOS管的电压匹配或电流匹配，但不能同时优化二者电压匹配产生匹配电压的MOS电路应工作在较低的有效栅压下，≤0.1V电流匹配产生匹配电流的MOS电路应工作在较高的有效栅压下，≥0.3V几何效应栅极面积栅氧化层厚度沟道长度调制效应方向栅极面积????栅氧化层厚度和沟道长度调制效应??方向方向相同的器件(A)匹配精度高于方向不同的器件(B)和(C)扩展漏区晶体管(A) 互为镜像的结构出现失配；(B) 方向一致的结构不受影响扩散和刻蚀效应多晶硅刻蚀速率的变化使硅栅MOS晶体管的栅极长度发生变化可使用陪衬栅极以确保均匀刻蚀扩散穿透多晶硅杂质在多晶硅内部无法均匀扩散杂质沿晶粒边界快速扩散；在单个晶粒内部扩散速度较慢有源栅极上方的接触孔有源栅极上的接触孔位置有时会引起显著的阈值电压失配保证接触孔位于厚场氧化层上方，而不是有源栅区上方沟道附近的扩散区深扩散区会影响附近MOS晶体管的匹配深扩散区尾部会延伸相当长的距离与附近MOS晶体管的沟道相交多晶硅刻蚀速率的变化(A) 没有陪衬栅极的MOS晶体管阵列(B) 包括陪衬栅极的MOS晶体管阵列扩散穿透多晶