BJT 大电流特性课件.ppt

* * 2.8大电流效应和基区宽变效应 (Early效应) 双极晶体管的大电流效应包括大注入效应、有效基区扩展效应(Kirk效应)以及发射极电流集边效应。 大电流效应严格地说应该称为大电流密度效应。原因：小尺寸器件，总电流不一定很大，但电流密度很大，也会出现这些效应。 大电流效应研究BJT工作在正向有源区（放大区）时出现的大电流密度效应. ①大注入效应 1）什么是大注入：指PN结外加正向电压时，注入少数载流子密度等于或超过多子平衡态密度的工作状态。 2）大注入内建电场 NPN晶体管（a）小注入 （b）大注入 基区载流子分布 (a) (b) 小注入时，注入的电子密度远低于平衡态空穴密度，认为多子空穴平衡分布与平衡态近似相同。 大注入时，注入电子密度超过空穴平衡态密度，因电中性要求，空穴的密度梯度与电子的密度梯度相等。由于存在密度梯度，空穴将自发射结向集电结扩散，且因集电结势垒的阻挡作用在集电结边界处积累，而离化的受主中心固定不动，由此造成正负电荷分离，建立电场。这个电场就是大注入内建电场，其方向是从集电结指向发射结，对注入到基区的电子起加速作用。 当自建电场促使的空穴漂移电流与扩散电流大小相等时，达动态平衡。大注入内建电场的表达式： 准中性： 第一项表示在大注入下，由基区杂质分布梯度产生的有效电场，对均匀基区，这一项等于零。第二项表示少子(电子)注入基区后，为维持电中性，积累相应的空穴而产生的大注入自建电场，它随注入水准的提高而增强。极大注入时，均匀和缓变基区晶体管，基区自建电场都由注入的少子载流子分布梯度dnb(x)/dx决定。 由 考虑到大注入电场后，基区电子电流密度为 对于均匀基区，dNB/dx=0，上式变为 若忽略基区复合，JnB(x)=JnB(0)=JnB=常数，对上式从0~WB进行积分，并利用在正向有源区，基区边界条件nb（WB）＝0， 大注入正向传输电流密度表达式 大注入电场对基区渡越时间的影响:(均匀基区晶体管) 小注入时为 大注入基区内建电势(VBI)：大注入基区内建电场沿纵向建立的集电结势垒边界到发射结势垒边界的电势差。 因为 由于存在VBI，外加于基极-发射极引出端的VBE只有一部分降在发射结上，因而 VBE＝VBI +VJE ( VJE 被看作是“工作电压” ) 大注入时发射结势垒两侧的载流子分布 3）大注入电导调制效应 大注入工作时，基区非平衡多子密度的大量增加，因而使基区电导率明显增大，这就是基区电导调制。 由于基区电导调制效应， 电阻率下降，发射效率降低，使电流增益下降，此现象称为Rittner效应。 大注入自建电场，在极大注入下，基区电子扩散系数由DnB变成2DnB，L2nB=Dτ变成2L2nB，基区输运系数增加，使电流增益增加。大注入基区内建电场减缓大电流增益的下降，通常称此效应为Webster(韦伯斯特)效应。 4〕大注入工作时的电流增益 (均匀基区) ②有效基区扩展效应(Kirk效应) 有效基区扩展效应是指大电流密度下BJT的有效基区随电流密度增加而展宽，准中性基区扩展进入集电区的现象。C.T. Kirk首先解释了这一效应，所以通常称之为Kirk效应。 产生有效基区扩展效应的机制主要有两种。第一种机制是大电流时集电结N-侧耗尽区中可动电荷中和离化的杂质电荷导致空间电荷区朝向远离发射结的方向推移。第二种机制是电中性N-区上的欧姆压降随电流增加而增大，促使反偏集电结转为零偏和正偏，晶体管进入准饱和态工作。 强场情形、弱场情形由集电结的VCB的大小来划分。 讨论方法：VCB=常数，改变JC。 对N+PN-N+四层结构，从发射结注入的电子，在通过集电结电荷区时，对耗尽区的正(n侧)负(p侧)空间电荷分别起着中和和添加作用。使n侧正空间电荷减小，p侧负空间电荷增加，电场分布发生变化。设通过集电结势垒区的电子密度为nc。 计入运动载流子对空间电荷区的影响时，n侧正空间电荷密度变为NC-nC，p侧负空间电荷密度变为NA+nC，空间电荷区的泊松方程变为 注入电流对集电结空间电荷区电场分布的影响： N侧 P侧 随nC的增加，n侧的|dE/dx|随nC的增加而减小。 强场情形下集电结过渡区电场分布 J=Ja, Jb时，N侧的空间电荷为正，最大电场在PN-交界处。 J=J0，nC=NC时，dE/dx=0 J=J1， nCNC时，N区变成带负电的空间电荷区，最大电场在N-N+处，PN-结面电场变为零。 JJ1，电场为零处发生在N-区，WCIB区为电中性区——基区扩展区。 J1规定为有效基区扩展效应开始起作用的临界电流密度。 强场下 固定VBC而增加工作电流时，BJT将从正向有源区转入准