射频通信电路 - 清华 PART8课件.ppt

* 第五章 PIN管微波控制电路 §5.1 引言 §5.2 PIN管的基本特性 §5.3 PIN管开关 §5.4 PIN管电调衰减器 §5.5 PIN管移相器 一、控制电路种类 1. 控制微波信号的通/断或转换：微波开关、脉冲调制器 2. 控制微波信号的幅度大小：幅度调制、电调衰减器、 限幅稳幅器 3. 控制微波信号的相位：移相器、调相器 §5.1 引言 二、控制器件 1. PIN管 体积小、重量轻、价格低、速度慢(?s量级)、频率略高(100GHz)、可控功率大(百瓦级)、微波损耗小、正反短路开路特性好 2. FET 价格高(但在MMIC中是同一种工艺，反而比PIN容易制造)、速度快(ns量级)、频率略低(20GHz)、瓦级功率 3. 机械开关 尺寸小、可控制的微波功率高，但通断速度慢(?s量级) 混合集成电路用PIN管，MMIC则用FET §5.2 PIN管的基本特性 雪崩二极管(反压) PIN管 I层较长，长度有几微米到十几微米(中、小功率管)或几十到几百微米(大功率管)。 工作原理利用了载流子在I层的储存效应和I层渡越时间效应。 不可能实现真正的I层，其杂质含量足够低。若为低掺杂的P层，称为P-?-N管；若为低掺杂的N层，称为P- ? -N管。 一、直流电压作用下的特性 零偏压：? 区包括一部分耗尽区W和一部分未耗尽区D-W。呈高阻抗。 反偏压：反压使PN结的耗尽层加厚阻抗加大。偏压使I层全耗尽时阻抗达到最大，叫穿通(两侧的耗尽层连通)。再大电压则击穿。击穿VB为几十到几百伏。 §5.2.1 不同偏置下PIN管的阻抗特性 二、对微波信号呈现的阻抗特性 交流正半周微波注入电荷 1. 正偏压工作点时 假设直流工作点为I0，I层中直流注入电荷(未复合)为 Q0＝I0? 例：I0=20mA，I1=1A, f =1000MHz(T=1ns), ? =1?s 如果T/2?，注入电荷尚未复合，负半周又吸出同样多的电荷。由于?QQ0，所以微波对管子工作点无影响。 对微波只呈现I0工作点时的电阻。 2. 反偏压工作点时 正半周注入载流子尚未复合构成电流，负半周电压反向又吸出，所以没有电流。 始终维持在反偏压所决定的高阻抗状态。 例：V0=-10V，V1=100V, 无电流 3. 零偏压工作点时 正半周：注入载流子 负半周：绝大部分吸出，残留少量。呈现高阻抗，随外电流加大，残留积累形成电流增加，电阻略下降。 当微波很强时，多周期后，残留载流子增加，积累形成大电流，电阻迅速下降。呈现低阻抗。 对足够高的频率，微波阻抗随微波信号幅度而变化。 交流正工作点：等效为固定电阻，阻值R(I0)只受直流 偏压控制；导通 交流负工作点：高阻抗；关断 交流零工作点：对高频，阻抗随微波信号幅度而变化； 自动限幅 特性总结 §5.2.2 PIN管的等效电路 RS --- 材料电阻；1?左右 Rj --- I层正向结电阻；随直流电压变化 Cj--- 扩散电容和结电容之和 一、正偏等效电路 RS ~1?，Rj小(Rj1 ?，随正偏I0或V0变化) 满足 时，Cj(=0.01~0.1pF)可忽略 Ri --- 未耗尽区电阻 Ci --- 未耗尽区介质电容 Cj --- 耗尽区势垒电容， Rj ---反向结电阻，很大(10M?)，可忽略 二、反偏等效电路 Cj=0.01~0.2pF 2. I层穿通后 1. I层未穿通时 三、有封装等效电路 §5.3 PIN管开关 §5.3.1 单刀单掷开关 (SPST--Single pole single throw) 基本电路 串联型 并联型 反偏--电路断 正偏--电路通 反偏 --电路通 正偏 --电路断 开关的衰减 定义：开关输入端信号源的资用功率为Pa，输出端负载吸收功率为PL，则定义开关的衰减L为 开关网络用[S]参数表示，且开关插入在匹配信号源和匹配负载之间，则 开关导通状态时叫插入衰减，断开状态时叫隔离度。 * 串联 * 并联 * 串联 * 并联 * 低阻(断)时 * 高阻(通)时 以并联为例： 例：Zc=50?，Rf=1? 1支 2支简单并联 两支PIN管简单并联，隔离度只差约6dB 多管开关电路可改善隔离度 用[A]矩阵级联计算 对于并联双管开关 总电路矩阵 插入衰减(即传输损耗) 当PIN管是高阻状态时，开关为“通” 当PIN管是低阻状态时，开关为“断” 可见两管开关比单管开关隔离度大得多 例：Zc=50?，Rf=1? 由于P