CCD第六章new课件.pptVIP

线阵CCD及其应用;以P型衬底MOS结构为例，如果在金属电极——栅极上施加一足够大的正电压，半导体表面将处于深耗尽状态，在半导体表面形成电子势阱。半导体表面相对于体内的电势差称为势阱深度。势阱可以存储少数载流子（在P型衬底情况下少数载流子是电子），势阱越深存储电荷越多。 当光照射到硅片上时，在光子作用下产生电子-空穴对，自由电子会被势阱收集，电子数主要取决于光照强度和收集（积分）时间的长短。 ; 为了将势阱中的电荷转移并输出，每个光敏单元一般包括3个相邻的电极，电极上的脉冲电压相位依次相差120°，波形都是前缘陡峭后缘倾斜。 ; 在t1时刻，电极1、4、7下方出现势阱，并收集到光生电荷，电荷的多少与光强有关。在t2时刻，电压φ1下降，电压φ2最高，电极2、5、8下方势阱最深，原来存储在电极1、4、7下方的电荷将在电场作用下转移到2、5、8下方。到t3时刻，电荷全部向右转移的一步。依次类推，在t5时刻，电荷将转移到电极3、6、9下方。 ;CCD电荷的收集和移位 ; CCD图像传感器一般分为线型和面型。二者的原理类似，都是通过光学成像系统将景物图像成在CCD的像敏面上。像敏面将照在每一像敏单元上的图像照度信号转变为少数载流子密度信号存储于像敏单元（MOS电容）中，然后再转移到CCD的移位寄存器（转移电极下的势阱）中，在驱动脉冲作用下顺序的移