第一章-半导体物理基础.ppt

Spring 2011 微电子器件与电路 第一章 半导体物理基础 参考文献 1. Donald A. Neamen 著, 赵毅强 等译，半导体物理与器件（第三版）CH1-6，电子工业出版社，2006.01 2. Robert F. Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社 3. Clifton G. Fonstad著，Microelectronic Devices and Circuit（2006Electronic Edition），CH2-CH10 4. Ben G. Streetman著，何小威译，固态电子器件（第六版），人民邮电出版社 本节课大纲 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 半导体物理基础知识 本节课大纲 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 载流子的输运 1.在低掺杂情况下，迁移率u受晶格间的碰撞决定，且晶格散射同温度有关，温度越高，散射越厉害，迁移率越低。 2.中等及重掺杂情况下，迁移率u受电离的杂质的碰撞来决定，电离杂质散射同电离杂质总浓度有关。 3.空穴比电子迁移率低，导电的电子是在导带中，它是脱离了共价键可以再半导体中自由移动的电子；而空穴是在价带中，空穴实际电流是代表了共价键的电子在价键间运动时产生的电流，显然同等场强下的。导带中电子的平均漂移速度要快些，也就是说电子的迁移率要大些。 欧姆定律： 在导体两端施加电压V，导体内会形成电流，电流强度： 电阻R与导体长度l成反比，与截面积s成反比，即 宏观的欧姆定律并不能说明半导体内部各处电流的分布情况，所以半导体中经常使用电流密度来描述电流强度的情况。 内部电流密度： 所以欧姆定律为： 电流密度同平均漂移速度的关系： 导体内截面的电流强度是每秒通过截面的电量： 假设电子浓度是n,则单位时间 半导体内部电场恒定时，电子应该具有一个恒定不变的平均漂移速度。电场强度增加，电流密度也相应增加，因此平均漂移速度也随着E增加而增大。平均漂移速度的大小与电场强度成正比。 所以，电流密度 带电粒子沿着某方向的运动会形成电流 漂 移 电 流 密 度 载流子漂移速度 载流子浓度 载流子电荷 在半导体中无论是电子还是空穴都会参与导电： 漂流电流密度： 根据欧姆定律 半导体电阻率公式 图中所示的是电子和空穴的平均漂移速度与外加电场的关系曲线。 在弱电区，漂移速度虽电场强度线性变化，漂移速度的-电场曲线的斜率即为迁移率。 在强电区，载流子的漂移速度严重偏离了弱电场区的线性关系。 硅的电子漂移速度在外加电场强度约30KV/cm时达到饱和，那么漂移电流密度也达到了饱和，不再随着外加电场变化。 载流子的漂移速度其实是热运动和载流子在电场中运动速度的综合效果 1）低场强下，受电场作用下的漂移速度影响，所以载流子的漂移速度主要受热运动作用，热运动速度为107cm/s ，热是无规律没有定向的，所以平均自由时间由热运动决定。所以低场强下迁移率是固定的（漂移速度和电场成线性关系） 2）中场强下，电场作用力下的漂移速度和热运动速度基本相差不大，所以平均自由时间取决于两者的综合结果 3）高场强下，发射光学声子成为动量弛豫和能量弛豫的主要