IGBT二极管整流桥温升推算及允许温升.PDFVIP

WWWWee R R R Reaceach Fh Fh Fh Fururththththerer IGBT、、二极管极管整流桥流桥 温升推算及允许温升 AN-17013Rev.01 2017年8月 目录 • 推算推算目的的 • IGBT功率损耗 • IGBT温升推算及允许温升 • 二极管整流桥功率损耗 • 二极管整流桥温升推算及允许温升 公司愿景：做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17013Rev.01 1 2017年8月 推算目的 评估产品在实际工况下的可靠性 替换竞品的理论指标 分析影响温升的因素改善温升情况 温度保护的门限选择 公司愿景：做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17013Rev.01 2 2017年8月 IGBTIGBT功率损耗功率损耗 1. IGBT的损耗源于IGBT和二极管（FWD）芯片的损耗 22. IGBTIGBT是非理想开关器件是非理想开关器件 ，体现在体现在 ： 1）导通状态下存在Vcesat——通态损耗 2）开关时存在Eon和Eoff——开关损耗 IGBT的总损耗的总损耗=通态损耗通态损耗+开关损耗开关损耗 3. FWD存在两部分损耗： 1）正向导通压降Vf——通态损耗 2）二极管反向恢复Erec——反向恢复损耗 FWDFWD的总损耗的总损耗=通态损耗通态损耗++反向恢复损耗反向恢复损耗 在制定替换方案时IGBT损耗的相关参数需重点关注 公司愿景：做世界功率器件市场知名的民族品牌 AN-17013Rev.01 3 2017年8月 IGBTIGBT温升推算及允许温升温升推算及允许温升 通态损耗及其参数—— 1、从左图中推算Vcesat=VT0+RCE*Ic，通态损耗