C06吋化学清洗蚀刻工作站标准制程炉管前清洗区制件SC-1SC-2.DOCVIP

C05 - 6吋化學清洗蝕刻工作站標準製程 爐管前清洗區製件 　 SC-1 SC-2 DHF SPM 化學品種類 NH4OH：H2O2：H2O HCl：H2O2：H2O HF：H2O H2SO4：H2O2 製程濃度濃度 1 : 1 : 5 1 : 1 : 6 1 : 50 4 ： 1 製程溫度 45℃ 45℃ 24℃ 125℃ 製程時間 600sec 600sec 60sec 600sec 化學品用途 去除微粒/有機污染物 去除金屬污染物 去除俱生氧化層 去除有機污染物 光阻區/濕蝕刻區件 　 WaferP.R. Strip（on non metal） Mask P.R. StripMask Clean WaferP.R. Strip（on metal） B.O.E. 7:1 H3PO4 化學品種類 H2SO4：H2O2 H2SO4：H2O2 Rezi-78 B.O.E. 7:1(NH4F：HF) H3PO 4 製程濃度濃度 Pure H2SO4 + 100 ml H2O2 Pure H2SO4 + 100 ml H2O2 Pure Rezi-78 Pure B.O.E. H3PO 4+ H2O 200 ml 製程溫度 125℃ 105℃ 45℃ 室溫 150℃ 製程時間 600sec 600sec 600sec 視欲蝕刻厚度而定 視欲蝕刻厚度而定 化學品用途 去除有機污染物 去除有機污染物光罩髒污清潔 去除金屬材料有機污染物 蝕刻二氧化矽 Si3N4 remove 現有開放之製程條件 清洗區 長閘極氧化層前/製作與電性有直接關連的結構前/欲成長的膜厚100? 以下 RCA Clean : SPM→QDR→DHF→QDR→SC-1→QDR→SC-2 →QDR→DHF→QDR→SPIN DRY 一般高溫及高真空製程前的清洗/欲成長的膜厚100?以上 STD Clean : SC-1→QDR→SC-2 →QDR→SPIN DRY 一般高溫及高真空製程前的清洗但介意俱生氧化層的影響時 STD + DHF dip Clean : SC-1→QDR→SC-2 →QDR→DHF→QDR→SPIN DRY 刻號後/非金屬化學機械研磨後清洗/side wall polymer去除 SC-1 → QDR → SPIN DRY 僅去除俱生氧化層時 DHF → QDR → SPIN DRY Poly Silicon TFT 製程閘極氧化層前清洗 SPM→QDR→DHF→QDR→SC-2 →QDR→DHF→QDR→SPIN DRY 光阻區 前段製程光阻去除時 SPM#2 → QDR → SPIN DRY 2.光罩清洗/光罩光阻去除 SPM#1 → QDR → 自然晾乾 3.金屬層光阻去除時 REZI-78 → QDR → SPIN DRY 濕蝕刻區 1.前段製程SiO2/TEOS濕蝕刻時（可進有光阻圖形之晶圓） B.O.E. 7 : 1 → QDR → SPIN DRY 2.前段製程氮化矽（Si3N4）薄膜移除時 H3PO4 → QDR → SPIN DRY